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采用一种新的LPCVD方法在Si衬底上通过SiO2作为掩蔽层,进行3C-SiC的反向外延的选择性生长.TEM,AFM和XRD结果显示3C-SiC沿（111）面成功实现了较高质量的外延选择生长,其界面清晰,掩蔽良好.生长出的3C-SiC薄膜为织构晶体,单晶性良好.残余应力测试表明3C-SiC薄膜晶格发生压应变,选择性生长区域的残余应力显著降低.据此结果建立了残余应力的形成机制. 相似文献
2.
采用低压化学气相淀积(LPCVD)技术,以CH_4和H_2的混合气体作为反应源气体,在n型Si(111)衬底上反向外延生长出高迁移率的自掺杂的n型3C-SiC薄膜.在此反应过程中,H_2作为稀释与运载气体,CH_4提供C源,而Si源由Si衬底提供.通过X射线衍射分析仪(XRD)与场发射扫描电镜(FESEM)分别研究生长出的3C-SiC薄膜的晶格结构和表面形貌.其在室温下的霍尔迁移率的值为1.22×10~3cm~2/(V·s),高于其它相关文献报道的霍尔迁移率.实验结果表明,此生长方法可以生长出表面较为平整,并具备高迁移率的3C-SiC薄膜. 相似文献
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