首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   3篇
  免费   1篇
综合类   4篇
  2020年   1篇
  2013年   1篇
  2009年   1篇
  1997年   1篇
排序方式: 共有4条查询结果,搜索用时 6 毫秒
1
1.
崔衍炜  杨景红  胡宁波 《科技信息》2013,(3):393-393,375
为了提高供电电源的功率因数、提高供电电压质量、减少无功损耗,根据无缝厂综合水泵站电源系统所需的补偿容量,在谐波分析的基础上作出补偿方案、自行计算补偿电容器和电抗器的相关参数并作出选型、制造无功补偿装置,投入使用后取得良好效果。  相似文献   
2.
肝门部外科解剖技巧与要点   总被引:8,自引:0,他引:8       下载免费PDF全文
根据用电锐性解剖方法成功为81例肝脏,胆道疾病患者实施肝门外科解剖的体会,详细介绍肝门部外科解剖的技巧与要点,实践证明,这一技术具省时、安全、出血少、手术成功率高等优点,对提高肝脏胆道疾病的外中效,特别是胆道恶生肿瘤的切除率具有较高临界价值。  相似文献   
3.
轧制工艺对微合金管线钢组织及M/A岛的影响   总被引:4,自引:0,他引:4  
采用热模拟和显微组织分析方法,研究了冷却速率、变形温度、变形量等轧制工艺参数对一种X70级微合金管线钢组织及马氏体/奥氏体(M/A)小岛的影响.结果表明:增大冷速、降低变形温度均可使组织细化,组织中多边形铁素体减少,针状铁素体增多;同时,在不同的控轧条件下,会形成一定的M/A小岛,变形温度对M/A小岛影响不大,而适当提高冷速和增大变形量将减少小岛相对量,并使其细小而弥散分布于基体;合理控制形变参数及冷速可获得较理想的显微组织与M/A小岛的配合,提高材料性能.  相似文献   
4.
针对不同基底偏压下制备的MoSi_2薄膜呈现不同结构及性能的问题,采用直流磁控溅射工艺,在单晶硅表面制备了MoSi_2薄膜。采用X射线衍射仪、场发射扫描电镜、原子力显微镜和纳米压痕仪等分析手段,探究了基底偏压对磁控溅射沉积MoSi_2薄膜形貌结构、生长特性、组织和性能的影响。研究结果表明:不同基底偏压制备的薄膜主要为六方相MoSi_2,且存在明显的(111)面择优取向。基底偏压和基底温度的协同作用,使薄膜的自退火效应更加明显。随着基底偏压的增加,薄膜的结晶效果显著提高,并出现四方相MoSi_2和Mo_5Si_3相。基底偏压的增加使薄膜的厚度、弹性模量及纳米硬度先上升后下降。当基底偏压为-100 V时,薄膜的厚度、弹性模量及纳米硬度达到最大值,分别为1 440 nm、192.5 GPa和10.56 GPa。  相似文献   
1
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号