排序方式： 共有1条查询结果，搜索用时 31 毫秒
1
1.
外尔半金属Co3Sn2S2是一种新型的拓扑量子材料，具有独特的拓扑能带结构，被认为是一种非常有潜力的自旋电子材料，而制备电子器件的重要一步是该材料的薄膜化.采用磁控溅射方法分别在Si O2(300 nm)/Si(100)和Al2O3(0001)衬底上生长Co3Sn2S2薄膜.X射线衍射(XRD,X-ray Diffraction)显示Co3Sn2S2薄膜的结构随厚度而变化.在不同衬底上，Co3Sn2S2薄膜的生长情况也不同，较薄的Co3Sn2S2 (<200 nm)适合生长在Al2O3(0001)衬底上，而较厚的Co3Sn 相似文献
1