衬底温度对射频溅射a—Ge：H薄膜光电性能的影响

本工作用射频溅射法制备出非晶和微晶锗氢膜（ａ－Ｇｅ：Ｈ和μｃ－Ｇｅ：Ｈ）。研究了衬底温度对薄膜光学、电学及结构性能的影响。结果表明：衬底温度Ｔｓ＜２９０℃，沉积出ａ－Ｇｅ：Ｈ膜；Ｔｓ≥２９０℃沉积出μｃ－Ｇｅ：Ｈ膜。其结构、光电性能均当Ｔｓ≥２９０℃时有明显的变化。     

衬底温度对射频溅射a-Ge∶H薄膜光电性能的影响

本工作用射频溅射法制备出非晶和微晶锗氢膜(a-Ge∶H 和μc-Ge∶H).研究了衬底温度对薄膜光学、电学及结构性能的影响.结果表明:衬底温度 T_(?)<290℃,沉积出a-Ge∶H 膜;Y_(?)≥290℃沉积出μc-Ge∶H 膜.其结构、光电性能均当 T_(?)≥290℃时有明显的变化.