基于四值逻辑的伽罗华域AB+C电路设计

为了提高AB+C运算电路的运算速度,降低其电路实现的复杂性,本文在GF（24）上给出了一种基于四值逻辑的AB+C算法及其基于脉动阵列结构的电路实现.在电路设计中采用了基于源极耦合逻辑的多值技术,利用四值电流模进行运算,以改善电路的首次延时及晶体管和连线的数目.在0.18 μm CMOS工艺下利用HSPICE进行了电路仿真验证.结果显示,对比于相应的基于二值逻辑的COMS实现技术,首次延时及晶体管与连线的数目总和分别减少了54%和5%.所设计的并入并出脉动阵列电路,结构简单、规整、模块化,适用于VLSI的实现.多值逻辑电路与基于多值逻辑的对应算法的结合很可能成为实现GF（2k）上高性能运算的潜在解决方案.      

基于带符号位的浮点数运算的多位宽3D RRAM设计

本文介绍了卷积神经网络（convolutional neutral network,CNN）系统中具有多位存储的三维阻变式存储器（three-dimensional resistive random-access memory,3D RRAM）的带符号位的浮点数运算. 与其他类型存储器相比,3D RRAM可以在存储器内部进行运算,且具有更高的读取速率和更低的能耗,为解决冯诺依曼架构的瓶颈问题提供新方案. 单个RRAM单元的最大和最小电阻分别达到10 GΩ和10 MΩ,可在多级电阻状态下稳定,以存储多比特位宽的数据. 测试结果表明,带符号位的浮点数的卷积运算系统的精度可以达到99.8%,测试中3D RRAM模型的峰值读取速度为0.529 MHz.      

K波段低噪声集成片上CMOS接收前端设计

基于TSMC 90nm CMOS工艺,设计实现K波段片上集成CMOS接收前端。接收前端由两级差分共源共栅结构低噪声放大器、双平衡吉尔伯特单元结构下变频混频器组成。射频输入、本振输入以及模块间采用片上巴伦进行匹配。测试结果表明,在射频输入频率23.2GHz时,转换增益为27.6dB,噪声系数为3.8dB,端口隔离性能良好,在电源电压为1.2V下,功耗为35mW,芯片面积为1.45×0.60mm2。