溅射沉积无定形硅薄膜的激光外延研究

用热处理方法对单晶硅上的无定形硅薄膜进行外延再生长,需要在超高真空和高温(≥1000℃)条件下才能实现.我们用激光外延可以使在10~(-6)托真空条件下溅射沉积的无定形硅薄膜,不需要衬底表面的溅射清洗和高温热分解,就能得到满意的外延层.激光外延给半导体工艺提供了一种有前途的新技术.     

聚羧酸减水剂的减水率检测标准适应性探讨

阐述了聚羧酸减水剂的技术及应用发展现状,并分析了聚羧酸减水剂在应用中存在的问题,重点讨论了聚羧酸减水剂的关键指标——减水率的现有检测标准存在的不合理之处,结合试验提出了一些建议,以期能使聚羧酸减水剂的减水率检测方法更加规范、合理,更好地推广聚羧酸减水剂。