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本文从理论上分析了硅剪切压阻系数的择优取向,以及在矩形、方形和圆形弹性膜片上欲获得较大剪应力,电阻条的布局原则。利用本文提供的方法,对某些膜片上的四端应变电阻所进行的布局分析与Kanda用有限差分法计算出来的布局结果基本一致。文中还提出了膜片上一些新的布局,供设计者选用。 相似文献
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由ＩＧＢＴ器件组成的大功率桥式振荡电路的导通瞬间，如果驱动保护设置不合理，就会有一个十分尖锐的电流峰．结合ＩＧＢＴ器件结构，分析了造成该电流峰的原因，理论分析的结果与实验测试值相吻合．通过改进ＩＧＢＴ器件的驱动电路提出了消除电流尖峰的方法 相似文献
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膜片式半导体压力传感器是一种以形变引起硅材料电阻率发生变化为原理而制成的器件,因此正确认识硅弹性形变膜片上的应力和应变分布情况是合理布局应变电阻条的前提。根据硅的晶体结构并利用各向异性腐蚀剂,可以较方便地获得周边固定的矩形和方形形变膜片。本文用计算机模拟出应变和应力在这些膜面上的变化规律。 相似文献
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介绍了一个以单片计算机和ＰＣ机组成的电致变色器件电化学特性测试系统．采用直流溅射的方法制备了Ｎｉ（ＯＨ）２薄膜，并且进行了循环伏安特性、注入薄膜中电荷总量和时间的关系、光密度变化和注入电荷总量的关系及驱动电流和时间的关系测试．发现随着注入电荷量的增加，开始光透过率的变化呈线性变化，当注入电荷量较大时出现饱和趋势．所测试的结果与传统用分离设备测试的结果是一致的 相似文献
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