光滑曲面的硅微透镜列阵形成机理研究

采用碱性腐蚀的典型微机械加工法 ,制备出了光滑曲面的硅微透镜列阵 ,对试验样品进行了轮廓曲线测试 ,计算出了该腐蚀工艺的快腐蚀面 .重点研究了微透镜列阵凹面的形成机理 ,提出了与试验测试结果相吻合的解释模型 .该模型对微光学透镜的设计加工具有重要指导意义 .     

用光纤位移传感器测量金属丝的杨氏模量

用光纤位移传感器对金属丝的杨氏模量进行测量,用最小二乘法拟合直线方程,用逐差法处理实验数据,得出实验结果.与光杠杆法相比,该方法测量误差小,准确度高.     

PIN结构自扫描光电二极管列阵的理论分析及实验研究

提出了用ＰＩＮ结构代替通用的ＰＮ结构构组成自扫描光电二极管列阵的构想，并从理论上推导了再充电采样的ＳＳＰＡ性能参数的一般表达式。由此推断出ＰＩＮ结构ＳＳＰＡ具有高响应度高分辨率的特点。     

自扫描光电二极管CL512J型列阵的研究

为了满足光电二极管列阵不同类型的应用需要,新研制了 ＣＬ５１２Ｊ型光电二极管列 阵传感器．论述其工作原理,重点对器件进行了设计方面的研究：包括光敏元的设计、扫描 电路的设计和版图的设计分析．指出了工艺制造中的关键技术．最后给出了ＣＬ５１２Ｊ型器件 的光电参数和电学参数的测试结果,表明该器件具有显著的优点,将会在光电检测领域内得 到应用,达到国内先进水平．     

结构参数对电容触摸屏线性度的影响

用ANSYS软件对二维电容触摸屏的结构参数进行计算和分析,讨论了结构参数对位置线性度的影响,并通过测试实验进行了验证.结果表明:触摸面电阻率与电极电阻率的比值γ会影响矩形电极结构电容触摸屏的线性度,γ越大,电容触摸屏的线性度越好,其合适的取值范围是γ>100;调整电容触摸屏位置坐标换算式中的参数κ能改善电容触摸屏的线性度;由负载电阻、电极结构和不均匀触摸面所引起的位置误差不可忽略.     

不同电极结构电容触摸屏及其数值分析

针对小尺寸(80 mm×60 mm)电容触摸屏位置误差的问题,通过设计不同的电极结构,改变屏上边界电阻,以达到提高触摸屏电场线性特性的目的.利用Maxwell 2D软件对所设计的3种电极结构触摸屏进行了模拟仿真.结果显示,屏中央区域的有效触摸面分别达到54mm×40 mm、60 mm×50 mm和68 mm×36 mm,对应区域的线性度分别为0.85%、0.61%和0.72%.与实际的实验结果对比表明,该设计方法能够有效提高电容触摸屏的线性度.