p-Si TFT的电场增强MILC制备技术

采用电场增强金属诱导侧向晶化方法获得了结晶良好的多晶硅薄膜,并采用该工艺制备了p沟道薄膜晶体管器件,其迁移率为65cm2/(V·s),开关态电流比为5×106.采用拉曼光谱分析、X射线衍射、扫描电镜等微观分析手段对多晶硅薄膜进行了分析,结果表明加电场于两电极之间有促进多晶硅薄膜晶化的作用.采用EFE-MILC技术获得了大的晶粒尺寸,并用此技术制备了p沟多晶硅TFT.表明EFE-MILC技术是在低温下获得大晶粒尺寸p-Si薄膜和高性能p-SiTFT的好方法.     

氮化铝薄膜对金属膜电阻器性能的影响

本文采用射频反应溅射法在电阻瓷体表面和微晶玻璃片上淀积一层具有择优取向的A1N薄膜,然后再在其上淀积金属电阻膜(80％Ni,20％Cr)或Fe-Al-Si-Cr合金粉。对电阻器进行了功率老化、高温存贮、热冲击、短时过载等可靠性试验,测量了其TCR和表面温升。由于A1N材料的优良导热和钝化特性,使具有A1N薄膜的电阻器性能得到很大提高。文中还讨论了A1N材料改善电阻器特性的微观机理。     

浅谈2,4-滴丁酯飘移药害

2,4-滴丁酯是目前防除鸭跖草(俗称兰花菜)的有效药剂,广泛用于玉米、大豆播后苗前土壤封闭,也可用于玉米田苗后早期茎叶处理。     

铂扩散工艺对硅快恢复二极管特性的影响

采用直拉单晶硅片代替成本较高的外延硅片,采取铂扩散的方法引入复合中心,从而控制少子寿命以减少快恢复二极管的反向恢复时间.通过大量实验研究了铂扩散二极管的特性,表明在扩散时间一定的条件下,随着铂扩散温度的升高,反向恢复时间TRR呈线性下降趋势;并且相同扩散温度条件下,电阻率越小的样品TRR值越小.随着铂扩散时间的增加,TRR值逐渐减小.分析了TRR以及正向压降VF的温度特性,表明随着工作温度的升高,TRR呈上升趋势,而VF随温度的升高而下降.     

纠正社会主义优越性问题上的几种错误认识

在社会主义教育过程中,常常发现有些人在理论上并不怎么否认社会主义的优越性,你讲社会主义制度代替资本主义制度是历史发展的必然规律,他找不出论据进行反驳.但联系到实际问题时,他们又常常对社会主义的优越性提出这样那样的怀疑.这些问题常见的主要是:认为社会主义不如资本主义民主,认为社会主义国家的生产力没有资本主义国家发达,认为社会主义国家没有资本主义国家人民生活水平高.当前有些青年特别是青年学生怀疑社会主义的优越性,说来说去主要是在这三个问题上没有走出误区.因此,为了提高社会主义教育的效果,有必要用正确的方法,引导青年学生在社会主义和资本主义两种制度的科学比较中,着重澄清在这几个具体问题上的认识.     

Al2O3-WO3 二元系线性热敏材料研究

利用激光烧结工艺合成了Al     

大功率CO_2激光器合成钨酸铝热敏电阻材料

利用大功率ＣＯ_２激光烧结新工艺制备钨酸铝负温度系数热敏电阻材料，发现材料在一定温度范围内阻温特性呈线性关系．研究激光烧结工艺条件对材料特性的影响．ＸＲＤ及ＸＰＳ的研究发现了具有类钙钛矿结构钨青铜导电相ＡｌｘＷＯ３，是它使材料具有半导性并有ＮＴＣ效应     

(Ba0.7Sr0.3)TiO3铁电薄膜热敏电容器的研制

采用射频磁控溅射法制备了用于非致冷红外焦平面阵列的BST((Ba0 .7Sr0 .3)TiO3)铁电薄膜热敏电容器 .介绍了热敏电容器上下电极的选材和制备及铁电薄膜的制备工艺 .根据热敏电容器的电容 -温度曲线 ,分析了热敏电容器的工作原理 .实验结果表明BST铁电薄膜热敏电容器可以工作在室温附近 ,约 2 6℃处     

Al2O3-WO3二元系线性热敏材料研究

利用激光烧结工艺合成了Ａｌ２Ｏ３－ＷＯ３系列ＮＴＣ热敏陶瓷材料．研究发现,这种陶瓷材料在一定的组分范围和工艺条件下,在较宽的温区内,其阻温特性呈现良好的线性关系．Ｘ－ｒａｙ衍射分析表明,经激光烧结的ＮＴＣ热敏材料中含有Ａｌ２Ｏ３,Ａｌ２（ＷＯ４）３和ＡｌｘＷＯ３相,且此材料中的导电相为钨青铜结构的ＡｌｘＷＯ３．ＡｌｘＷＯ３相是在Ａｌ２Ｏ３－ＷＯ３二元系平衡相图中所没有的．     

寺河矿大采高300m工作面采场控制分析

为了能够更好地维护工作面顶板,对采场矿压进行控制,通过现场观测的方法了解了初撑力对采场矿压的影响,并采用回归分析法分析了支架初撑力与工作阻力的关系。结果表明：初撑力与工作阻力呈正相关,即提高支架初撑力可以使支架工作阻力得到很快发挥,以利于顶板管理。