Tm（0．1）Yb（5）：FOV纳米相氟氧化物玻璃陶瓷的紫外和可见上转换发光

研究了在975nm半导体激光激发下纳米相氟氧化物玻璃陶瓷Tm（0．1）Yb（5）：FOV里Yb^3＋敏化Tm^3＋的紫外和可见上转换发光．发现了位于363．6nm的一条紫外上转换发光线,它是Tm^3＋离子的^1D2→^3H6的荧光跃迁．还发现了位于450．7nm,（477．0,462．5nm）,648．5nm,（680．5,699．5nm）和（777．2,800．7nm）的几条上转换发光线,它们是Tm^3＋离子的^1D2→^3F4,^1G4→^3H6,^1G4→^3F4,^3F3→^3H6和^3H4→^3H6的荧光跃迁．通过对上转换发光强度F随975nm抽运激光功率P改变详细地测量和分析证实了^1D2能级的上转换发光部分是五光子上转换发光,而^1G4能级和^3H4能级的上转换发光则是三光子和双光子上转换发光．初步的理论分析建议^1D2能级的上转换发光机理部分是Tm^3＋离子之间{^3H4（Tm^3＋）→^3F4（Tm^3＋）,^1G4（Tm^3＋）→^1D2（Tm^3＋）}和{^1G4（Tm^3＋）→^3F4（Tm^3＋）,^3H4（Tm^3＋）→^1D2（Tm^3＋）}的交叉能量传递,而^1G4能级和^3H4能级的上转换发光机理则是Yb^3＋离子到Tm^3＋离子的 {^2F5/2（Yb^3＋）→^2F7/2（Yb^3＋）,^3H4（Tm^3＋）→^1G4（Tm^3＋）→^1G4（Tm^3＋）}和{^2F5/2（Yb^3＋）,^3F4（Tm^3＋）→^3F2（Tm^3＋）}的相继的能量传递。     

利用面积编码技术光学实现定阶灰度腐蚀运算

为减少定阶灰度腐蚀运算中对权重α的限制,提出用面积编码技术对定阶灰度结构元素(0,α, 1)进行编码,采取非相干相关器加电子取阈的方法实现定阶灰度腐蚀,对取阈器件的分辨率要求降低了.     

双折射滤波片3种琼斯矩阵的数值计算及比较

以光轴平行于表面的石英和金红石晶体为例,通过具体的数值计算对波片琼斯矩阵的3种典型算法进行了比较,讨论了它们的适用范围,说明了在使用主折射率相差较大的晶体作滤波片时,O光和E光的空间分裂不可忽略.     

双折射滤波片4种相位差表达式的比较

讨论了利用波法线(e wave)计算双折射滤波片的相位差的可行性,分析了o光和e光经过双折射滤波片后相位差的4种表达式,并以光轴平行于表面的石英波片为例,通过数值计算比较了4种表达式的精确性.     

光在单轴晶体前表面上的反射-透射研究

给出了单色平面波从空气射向单轴晶体时O光和E光反射率和透射率的解析表达式.分析了E光波法线方向和光线方向的区别,对E光的菲涅耳方程及反射、透射率公式进行了修正.具体的数值计算表明,修正后的反射、透射率表达式遵循能量守恒定律.     

扩展逻辑函数形态学及其光学实现

讨论了低取阈水平下的逻辑函数形态学,得到了18个新的扩展逻辑函数形态学算子.其中,有8对为对偶算子.同时还对该原理进行了实验验证,表明取低阈值能够有效消除累积误差,获得更准确的输出结果.     

光学相关取零阈值实现击中与否运算

为避免传统的双通道光学相关实现击中与否运算中由累计效应引起的误差,基于数学形态学的对偶法则,提出使用对双通道光学相关取零阈值的方法来实现击中与否运算,使PC机取阈时不存在误差.