追求创新

一个企业如果拥有开发新产品的得力人才和不断创新的精神,在市场竞争中就能立于不败之地。美国电话电报公司拥有世界一流的贝尔实验室,有4000多名博士,5万多名科学家。这些杰出的人才不断研制出一个又一个新产品。这是企业在国际市场上长期占领有利地位、在竞争中制胜的法宝。     

1eV带隙GaNAs/InGaAs短周期超晶格太阳能电池的设计

使用In,N分离的GaNAs/InGaAs短周期超晶格作为有源区是未来实现高效率GaInNAs基太阳能电池的重要结构之一.同时,考虑到具有1eV带隙的GaInNAs子电池的重要性以及与Ge衬底晶格匹配的优势,基于Ge衬底上的四结及多结太阳能电池无疑荣景可期.为在实验上较好地控制所需带隙,我们利用传输矩阵方法从理论上计算了实现1eV带隙下超晶格的周期数、垒层厚度以及In,N的浓度,并进一步讨论分析1eV带隙下的多个相关参数的对应关系以及超晶格的应变状态.