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对称耦合量子阱能级特性研究与量子阱结构优化 总被引：3，自引：1，他引：2
采用无限深势阱模型分析对称耦合量子阱中最低子能级的形成,并利用二能级体系理论给出对称耦合量子阱中各子能级随外电场的变化规律。根据理论分析,指出了对称耦合量子阱在量子阱光开关应用中的优势和不足,并提出了一种新的耦合量子阱结构——准对称耦合量子阱。 相似文献
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量子限制斯塔克效应及其在光开关中的应用 总被引：2，自引：2，他引：0
介绍了量子限制斯塔克效应(QCSE)的主要内容,给出了QCSE在快速2×2Mach-Zehnder光空间开关中的应用,并通过光开关性能的分析,指出用矩形量子阱结构的光开关的缺点,最后提出采用FACQW'S的解决办法。 相似文献
3.
根据光开关对量子阱材料的要求,提出了具体的量子阱结构优化原则。以准对称耦合量子阱为蓝本,利用此优化原则,对其结构进行优化。通过对优化后的准对称耦合量子阱电光特性的分析,发现该量子阱结构在低工作电压(F=40 kV/cm)、低吸收系数(α<100 cm-1)的情况下仍有一很大的场致折射率变化(对TE模入射光,(Δn)max=0.021 6;对TM模入射光,(Δn)max=0.033),从而验证了优化程序的正确性。 相似文献
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