石墨与稻壳灰制取的碳化硅涂层特性

研究了稻壳灰与不同孔隙度石墨在（１６５０±５０）℃反应生成碳化硅涂层的特性．涂层的厚度和密度随加温时间的延长而增大，高孔隙的电极石墨，其涂层的界面结合强度和抗热震性优于低孔隙的高纯石墨；涂层的抗氧化烧蚀则后者优于前者．Ｘ射线衍射分析表明，涂层为β晶型碳化硅，用Ｘ６５０扫描电镜观察，碳化硅涂层呈网状结构．     

L2(Rn)中Parseval框架多分辨分析的谱

对L2(Rn)中Parseval框架多分辨分析进行了研究,其伸缩算子形式为(DAf)(x)=√2·f(Ax),A是实整数系数n×n矩阵,且| detA |=2,它的尺度函数为ψ(x)∈L2(Rn),得出一个集合为Parseval框架多分辨分析尺度函数的谱的充要条件,从谱的的概念,理解高维空间的Parseval框架多分辨分析.     

原材料特性对 SiC-TiB_2 复合陶瓷性能的影响

以微米级α－ＳｉＣ粉为原料,用常压烧结法制备ＳｉＣ－１５％ＴｉＢ２（体积分数）复合陶瓷．研究了原材料特性如烧结助剂种类、增韧相类型和原料ＳｉＣ粉粒度对材料性能和显微组织的影响．结果表明,Ａｌ－Ｂ－Ｃ是ＳｉＣ－ＴｉＢ２复合陶瓷的有效烧结助剂．用它为助剂制备的陶瓷其相对密度和抗弯强度高于以Ｂ－Ｃ,Ａｌ－Ｃ和Ｓｉ－Ｃ为助剂的ＳｉＣ陶瓷．与纯ＴｉＢ２粉末相比,以ＴｉＢ２－ＳｉＣ复合粉为增韧相的复合陶瓷性能改善,且抗氧化性较好．ＳｉＣ原料粉末的粒度是影响ＳｉＣ可烧结性最重要的因素．粒度愈细,ＳｉＣ陶瓷的相对密度和抗弯强度愈高．     

对偶空间的性质

在小波分析的理论中,小波空间结构是很重要的,通过对偶空间的性质进一步研究双正交小波与多分辨分析,得到双正交小波的一些等价条件,这是对H.O.Kim等人的推广.     

二维空间的框架小波

对二维框架多分辨分析进行讨论.首先给出其整数分类的一个一般结果,在此基础上,通过研究二维空间整数的分类,给出了二维框架多分辨分析存在一个Parseval框架小波的充要条件,并得出Parseval框架小波的表示形式.     

用稻谷壳制取石墨碳化硅涂层及碳硅化合物

本发明的目的是提供一种用稻壳制取石墨SiC涂层,同时产生β—SiC晶须、β—SiC细粉的技术。 所用原料为稻壳。先将稻壳作焦化处理(或用发电厂烧过的焦稻壳)。焦化处理温度为600～650℃,时间1～1.5小时,温度不得超过700℃,以防稻壳焦化后,其中的SiO_2晶粒变     

SiC－TiB_2复合粉的制备及特性

研究了稻壳灰与ＴｉＯ２和Ｂ２Ｏ３的反应．阐明了复合粉的反应机理和微观结构．Ｘ射线衍射分析表明复合粉为βＳｉＣ和ＴｉＢ２用Ｘ射线萤光分析，Ｘ射线能谱分析和化学成份分析不同的粉末颗粒，发现βＳｉＣ和ＴｉＢ２的含量有明显差别，说明βＳｉＣ和ＴｉＢ２在颗粒中呈非均匀分布．     

Parseval框架多分辨分析

讨论高维空间的Parseval框架多分辨分析,首先给出两个平移不变子空间中当其中一个是标准正交基时,则另一个被它包含且是Parseval框架的充要条件,进而推出高维空间多分辨分析包含Parseval框架多分辨分析的充要条件.     

高镍磁粉芯导磁率温度系数(α)影响因素的研究

本文阐明了粉末粒度及其组成,绝缘量、稳定化工艺参数及负温度系数合金参量对α影响的规律。确定了最佳配比方案和工艺制度。使磁粉芯的α值小于200×10~(-6)/℃(-10℃—+80℃)。     

推广的Tanh-函数法及其应用

通过一个带有参数的Ricaati方程将Tanh-函数法推广，并以不同类型的数学物理方程为例讨论了此方法的应用．