高纯钛制备过程中杂质Si的行为分析

对卤化法制备高纯钛过程中杂质Si的行为进行了热力学分析.在实验控制的条件下,杂质Si在卤化源区可以生成SiI2和SiI4,以SiI4的形式在沉积区分解,从而进入高纯钛中.通过分析得出了抑制SiI4生成的温度控制范围.实验发现,在控制卤化源区温度773.15-973.15 K,沉积区温度1373.15-1473.15 K的条件下,可以较好地抑制Si的污染.     

碘的催化氧化动力学实验研究

用准级数和开始反应速率方法进行过氧化氢催化氧化碘离子动力学研究。实验发现：在反应控制的条件下,磷酸水溶液中碘离子的氧化反应总体表现为一级反应;磷酸与硫酸的混合溶液中碘离子的氧化反应总体表现呈现零级反应。分析了硫酸对该氧化反应的催化机理,以及氢离子浓度对该反应的影响。