利用Tsuprem4和Medici对200伏VDMOS进行虚拟制造

通过将已知工艺参数与工艺模拟软件Tsuprem4结合起来，将模拟结果直接导入器件模拟软件Medici，对击穿电压及阈值电压，终端保护环进行了模拟计算，获得了具体的设计参数，并对利用这两个软件进行虚拟制造的过程中需要注意的问题进行了阐述．     

混合磷酸酯的表面活性

用表面张力法研究了混合磷酸酯的表面活性，得出各混合体系的临界胶束浓度和临界胶束浓度时的表面张力．结果表明，ＭＡＰＤＡＰ为７０３０时混合体系表面活性最优；ＡＰ、ＰＥ含量低于３％时有利于混合体系表面活性的提高；ｐＨ值在５．５～８．５范围内，对体系的表面活性影响较小     

高压VDMOSFET中的快恢复体二极管的设计新方法

提出了一种提高高压垂直双扩散MOS场效应晶体管（VDMOSFET）的体二级管恢复速度的新方法，在这一方法中，肖特基接触集成于VDMOSFET中的每一单胞中，据此生产的样品的实验结果表明，对于500V／2A的VDMOSFET，反向恢复电荷减小了50％，体二极管的恢复因数增大了60％．     

8-羟基喹啉修饰玻璃基质中CdS纳米粒子的制备及性质

采用溶胶-凝胶法制备了8-羟基喹啉修饰的CdS-SiO2复合材料并用多种谱学方法进行了表征,比较了修饰前后的荧光发射光谱．发现没有修饰的CdS—SiO2复合材料只产生激子荧光发射峰,用8-羟基喹啉修饰后,激子荧光发射峰和表面态荧光发射峰都能产生,这为非线性光学玻璃的改性提供了一个新的思路．     

功率VDMOSFET结终端技术研究

提出了一种多重场限环（FLR）终端结构的优化设计方法。这一方法给出了一种简单模拟结构用以绘制所谓的击穿电压-间距曲线，由这一曲线可以直接得到最优化结构，而不必进行试验也不易发生错误．由此种方法得到的结果与实验结果附合得非常好．我们在较大范围内对这一方法的适用性进行了研究，结果表明这一方法在中等电压范围FIR终端设计中非常有效。     

虚拟毛笔模型研究综述

毛笔是传承中国传统文化不可或缺的载体,虚拟毛笔模型的研究主要是对真实毛笔的艺术表现效果用计算机进行模拟,也包括对毛笔外形建模。基于对毛笔特点的归纳分析,对近20年来虚拟毛笔模型的研究历程及主要建模方法做了综述,详细介绍了几种典型的虚拟毛笔模型,归纳了它们的建模思想,总结了各自的特点,并讨论了与毛笔建模相关的纸笔交互及墨扩散效果问题,最后结合实际应用与研究提出了虚拟毛笔今后的发展方向。     

聚苯乙烯为模板制备CdSe纳米粒子

以聚苯乙烯-苯甲酸酐为模板制备CdSe纳米粒子，具有粒径分布均匀，制备方法简单，粒子稳定性好。     

铕与聚二甲基硅氧烷高分子配合物的荧光光谱研究

稀土高分子材料的研究始于 2 0世纪 6 0年代初 ,1 96 3年Wolff和Pressley研究了Eu(TTA) 3(TTA———α噻吩甲酰三氟丙酮 )在聚甲基丙烯酸甲酯 (PMMA)中的荧光和激光性质[1,2 ] ,开创了稀土高分子研究的新领域 .众所周知 ,含有发光稀土离子的聚合物兼具稀土离子的发光性能和聚合物易加工的特点 ,具有广阔的应用前景[3 ] .本文着重研究了铕与聚二甲基硅氧烷(PDMS)高分子配合物的荧光性质 .结果表明该物质在紫外光激发下发出红蓝光 ,且发光强度大、寿命长 .1　实验部分1 .1　试剂与仪器试剂 :Eu2 O3 的纯度大于 99 9% ,其余药品均为分…     

条形栅VDMOS特征导通电阻的物理模型

详细地介绍了一种新型实用的VDMOSET特征导通电阻的物理解析模型.该模型不仅物理概念清晰,有利于定型指导器件的研制和生产,而且简单、实用.