高Tc超导薄膜红外（光）探测器的研究

系统地报道了近年来关于高Ｔｃ超导薄膜红外（光）探测器的研究成果，先后进行了单元分立器件、２×２、２×４集成式阵列器件以及约瑟夫逊结型红外（光）探测器的研究。器件经过１０多次的液氮温度至室温的冷热循环，并在室温下保存两年以上，所得测量结果基本不变。采用具有约瑟夫逊效应的高Ｔｃ超导双晶晶界结的光探测器具有量子效应，其响应速度快于６．３５×１０－７ｓ。     

高于90K的钇钡铜氧系化合物的超导电性

1973年以来,对高温超导电性的研究几乎停顿不前.Bednorz和Mulle在La—Ba—Cu—O系中高于30K超导电性的发现迅速改变了这种局面。以后的发展近乎日新月异。赵忠贤等首先报道了在Y—Ba—Cu—O体系中发现高于液氮温度(77K)的超导电性并公布了材料组分。接着C.W.Chu等在Y—Ba—Cu—O多相氧化物超导体中得到了高于90K的的超导电性。最近,更多的研究组在单相YBa_2Cu_3O_(9~-y)氧化物超导体中发现了高于90K超导电性。我们在研制单相YBa_2Cu_2O_(9~-y)超导材料过程中发现,制备条件对超导性质的影响很大。我们选用分析纯钇钡铜的氧化物或碳酸盐。阳离子配比为Y∶B∶Cu=1∶2∶3。在玛瑙研钵里充分研磨以后,在管式炉内900—1100℃通氧烧结12—24小时。冷却速率对超导性质的影响是显著的。缓慢(超过6小时)冷却到室温可得到零电阻温度高于90K的超导电性,如图1所示。快速冷却的零电阻温度低于77K,如图2所     

用剥离工艺研制超导铌变厚微桥

本文介绍了用剥离(lift-off)方法研制超导铌变厚微桥的工艺,给出了液氦温度(4·2k)下,这种超导铌交厚微桥的Ⅰ—Ⅴ特性。成功地将微桥临界电流控制在100μA以下,并消除了回滞现象。     

铌基SiO_2势垒约瑟夫森隧道结

Nb-SiO_2-Nb以及铌基铋势垒小面积隧道结,其结具有极短的势垒长度和极小的电容。观测结的交、直流约瑟夫森效应,这些结具有极好的冷热循环性能。     

W-型槽铌超短微桥

本文提出了一种新颖的超导铌微桥结构,利用简单的工艺作出了桥区小于1μ的超短铌微桥、在4.2K下观测到极好的超短桥电特性。     

约瑟夫森器件的计算机应用

Ⅰ、引言最早用于数字电路的超导器件是1956年由Buok提出的冷子管,它的原理是利用金属从超导态向正常态的转变来执行逻辑功能的。这是一个相变过程,其时间数量级大约是10个毫微秒。由于冷子管的开关速度慢、有功耗,没有得到多大的发展。1965年美国IBM公司开始研究在数字电路中采用约瑟夫森器件,它是利用器件从约瑟夫森隧道效应(导超     

具有针孔结构的垂直型铌变厚微桥

本文介绍一种新型的Nb微桥,并对其电性能进行了测量。这些微桥具有垂直型的三维结构,无回滞的电流电压特性和极好的耐电冲击和冷热循环的性能。     

用硼离子注入控制超导铌微桥的临界电流

实验证明,在超导微桥的桥区铌膜中注入硼离子,控制桥区铌膜的转变温度,弱化超导微桥的临界电流,是一种行之有效的方法。适当调整注入离子的能量和剂量,可以将微桥的临界电流降低2～3个数量级。