排序方式: 共有5条查询结果,搜索用时 562 毫秒
1
1.
2.
利用高斯分布模型研究多晶硅晶硅界电学特性 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了多晶硅晶界的载流子输运过程和导电机制,建立了新的晶界结构模型和晶界势垒分布模型.将晶界区域及其势垒的变化视为高斯分布,利用这个模型,给出了改善的电流-电压特性方程,并用这个关系式来解释多晶硅的电学特性.数值计算表明,多硅电阻率随势垒高度的增加而基本呈线性增加.另外,电阻率ρ随掺杂浓度的增加而减小,当掺杂剂浓度约为1×1019cm-3,ρ和ρgb下降最快.且在晶粒尺寸为102nm范围内晶界的电阻率比晶粒的电阻率约大2~3个数量级.分析结果表明,晶界是高电阻区,晶界的这种精细分布描述,有助于进一步理解多晶硅的晶界特性,从而提高多晶硅太阳电池的光电转换效率. 相似文献
3.
氮化硅薄膜的快速热处理在太阳电池中的应用 总被引:2,自引:0,他引:2
研究了低温等离子体增强化学气相沉积(PECVD)氮化硅(SiNx)薄膜的快速热处理,发现一种能使硅片少子寿命(τ)显著提高的快速热退火工艺并对其机理和应用方法进行初步讨论.硅片在700℃、1 s的快速热处理下,τ提高200%左右,用PC1D--太阳电池模拟软件知其可带来0.54%的效率提高.同样的实验在已经扩磷的硅片上进行,少子寿命亦只提高55%.把上述研究和最新的激光烧穿接触工艺用于太阳电池,可使太阳电池效率有一定提高. 相似文献
4.
报导了在P/I界面引入CGL:B:C*缓冲层对大面积(2790cm2)单结集成P-I-N型。a-SI:H太阳电池性能影响的研究结果.实验发现:带有CGL:B:C层的a-SI:H太阳电池性能的提高主要是填充因子FF的增加所导致,实验所得电池的FF平均达60.33%,平均有效面积转换效率FF达6.0%,分别比目前的生产水平(FF=53.9%,EF=53%)提高了11.99%和13.2%.最后,依据建立的电池能带模型,从理论上解释了引入CGL:B:C后电池性能得以提高的原因. 相似文献
5.
太阳能光伏发电——中国低碳经济的希望 总被引:4,自引:0,他引:4
2010年上海世博园区安装了约5.2MW光伏发电系统,预示着太阳能光伏是低碳经济的希望。笔者展望太阳能光伏发电的未来,重新思考光伏发电在中国能源结构中的战略地位;建议把支持光伏发电的快速发展作为占领太阳能科技制高点,同时作为发展低碳经济的国策。 相似文献
1