反应离子刻蚀剥层的微分霍耳法表征超浅pn结

用反应离子刻蚀(RIE)剥层的微分霍耳法(DHE)对等离子体掺杂、离子注入制备的Si超浅p n结进行了电学表征.通过对超浅p n结样品RIE剥层的DHE测试和二次离子质谱(SIMS)测试及比较,发现用反应离子刻蚀(RIE)剥层的DHE测试获得的杂质浓度分布及结深与SIMS测试结果具有良好的一致性,DHE具有良好的可控性与重复性.测试杂质浓度达1021cm-3量级的Si超浅结样品,其深度分辨率可达nm量级.     

新型纳米压印光刻技术的研究和应用

纳米压印（nanoimprint）这个词汇从1995年发明到现在，目前还并未被大多数学者和人们所认识。让我们来解读一下纳米压印。纳米，已经越来越走进我们的生活，随着纳米技术的大量应用，纳米领域向我们敞开了一个神奇、美妙的世界。拜电视宣传所赐，越来越多人知道我们使用的电脑里Intel双核CPU采用的芯片是“45纳米技术”．这个技术就是目前大规模集成电路生产技术。