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1.
L-B单分子膜制备的MIS结构和电容电压特性
张亮
白玉白
李铁津
宋雯霞
王玉
《北京理工大学学报》
1996,(2)
利用L-B单分子功能膜的绝缘性制作MIS器件.通过对它的结构和电容-电压(C-U)特性曲线的研究,发现L-B膜可以改善MOS器件的性能和消除MOS器件的“异常”C-U特性现象,利用C-U特性曲线可以检测L-B膜成膜质量,利用零偏压时的电容值可以计算各成膜材料的介电常数.
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