四探针研究N~+注入Si的退火特性

本文用四探针法测量了在不同剂量和不同能量下的N~+注入Si后的薄层电阻率及其退火效应,结果表明,N~+注入Si的退火特性曲线为“W”形,曲线中的两个波谷是两个好的退火区:其中间的波峰是逆退火区,在退火温度为1080℃附近时,当注入剂量为1×10~(14)N~+/cm~2,注入能量为170kev和注入剂量为5×10~(14)N~+/cm~2注入能量为160 kev时,薄层电阻率都有急剧增大的趋势,最后,本文对上述这些实验结果进行了初步的分析和讨论。     

椭圆偏振光研究N2^＋注入Si的退火特性

本文用椭圆偏振仪测量了在不同剂量和不同能量下的N_2~+注入Si后的随偏参数ψ和Δ,给出了离子注入辐射损伤与注入剂量和注入能量的关系,同时,我们在N_2气氛中对离子注入片进行等时热退火,然后测量ψ和Δ,给出了N_2~+注入Si的退火特性,结果表明:N_2~+注入Si的退火特性曲线,对不同的注入剂量和注入能量分别为“υ”形和“W”形。     

表面电离探测器钨丝的处理

本文介绍对表面电离探测器的钨丝进行氧化处理的一种方法,经过处理的钨丝,其逸出功可从4.52eV提高到6eV,因而Li、Na等电离势较高的原子也能被电离.     

Li与Na束斯特恩—盖拉赫实验

本文介绍在普通K束Stern-Gerlach实验装置上进行Li束和Na束实验的方法。     

弱磁场测定实验

本文介绍利用实验室的一般仪器及自制探头和极化器,试制流水式核磁共振磁强计,并用以校定霍耳效应高斯计及对弱磁场测定的情况。弱磁场是用坡莫合金罩屏蔽地磁场实现的[注],磁场最低测到0.0128±0.0002高斯。     

原子的基态和它的矢量模型

一、导言理论和实验都表明,较轻原子中存在着L-S耦合,而j-j耦合只在高激发态中存在。对重原子说来,电子间的相互作用介于L-S耦合和j—j耦合之间;纯粹的j-j耦台只能在极重原子的光谱中观察到。值得注意的一点是L-S耦合不仅对较轻原子有效,而且对重原子的低激发态,特别是重原子的基态都仍然有效。这就是我们用量子数L,S,J标记所有原子的基态原因所在。