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1.
利用Tsuprem4和Medici对200伏VDMOS进行虚拟制造   总被引:2,自引:0,他引:2  
通过将已知工艺参数与工艺模拟软件Tsuprem4结合起来,将模拟结果直接导入器件模拟软件Medici,对击穿电压及阈值电压,终端保护环进行了模拟计算,获得了具体的设计参数,并对利用这两个软件进行虚拟制造的过程中需要注意的问题进行了阐述.  相似文献   
2.
对几种常见功率MOSFET的元胞结构、工艺流程和电学参数特点进行了介绍和分析,指出了各类元胞结构的优缺点和工艺实现上的难点,给出了对不同的电压范围应采用的元胞结构的意见。  相似文献   
3.
随着设计复杂程度的增加,RTL级仿真验证时间大幅度增加,已经成为设计的瓶颈.使用硬件仿真器可以加快仿真速度,提高仿真效率,是设计百万门以上电路的不可或缺的工具.  相似文献   
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