二次击穿效应

论述了半导体器件工作在二次击穿区域内的特性，研究和总结了可见效应及电效应，这些效应与器件结构及各种工作条件下的电场及载流子分布有关，证明在具有中等和高电阻率的厚集电极情况下，可见损坏面积大，而电变化及损坏较之薄集电极外延层的情况小．     

N~-N~+结的累积层效应

集成注入逻辑器件中的控制机理是N~-N~+构成的累积层,这种累积层尚未得到适当的分析。本文的主要目的是导出N~-N~+结的J—V特性,并对N~-N~+结的累积层效应作了详细地分析。分析表明累积层效应与实验结果一致,当累积层的复合时间,τ_(s c)→0时,少子分布从注入极平面开始线性地减小,τ_(s c)→∞时,少子分布是均匀的,在有限的τ_(s c)和高偏置电平下,N~-N~+结的电流随N 中性区宽度W的增大而增大。     

纵向注入逻辑

描述一种新的注入逻辑，即纵向注入逻辑，在这种逻辑中，对器件的结构作了特殊的设计以取得高封装密度和低功耗－延时乘积，普通注入逻辑（Ｉ＾２Ｌ）的横向ＰＮＰ注入极被纵向结构所代替。对于在Ｉ＾２Ｌ中影响封装密度和功耗－延时乘积的因素进行了分析，并且给出了这种新结构的设计依据。     

集成注入邏辑电路中的最小延迟时间

用模拟和电荷控制原理,对集成注入逻辑的最小延迟时间进行分析,分析表明:要实现开关的高速工作,必须将存储电荷减至最小,对基区进行高浓度P~+扩散能使存储电荷减少。最后提出要进一步改进开关速度还应使基本门的版图尺寸尽可能小,使比值Sc/S_L保持不变。