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在一个ＰＣ基高速高分辨率仪器卡上实现超低平均功耗器件的Ｉ－Ｖ曲线测量．采集５１２个数据只要５１．２μｓ，避免因过高平均功耗而损坏器件．ＰＣ基仪器卡自带时钟和单斜波电压产生器，使用功能为１８ＭＨｚ取样率和１０ｂｉｔ分辨率的Ａ／Ｄ器件和存取时间为１５ｎｓ的缓存存贮器，分辨率优于一般存储示波器，测量系统对ＰＣ／ＸＴ以上的微机兼容．系统还可进行多通道瞬态测量，用于同步分析多通道窄脉冲信号，一个软件包可以完成所有的控制、测量与数据处理． 相似文献
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以功效系数为目标函数,相应地确定了设计变量和约束函数,对塑料注塑机合模机构的参数进行优化计算,提高了机构的综合性能。 相似文献
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在低温5K下,采用光致发光光谱及外加偏压调谐InAs量子点激子精细结构劈裂,研究了不同量子点激子的精细结构劈裂值大小,以及垂直电场有效地调谐激子的精细结构劈裂.对于具有较小精细结构劈裂的量子点样品,外加偏压可以使其精细结构劈裂值减小到小于激子的本征光谱宽度,从而实现基于单双激子纠缠态的制备. 相似文献
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在对In As单量子点施加流体静压的实验中,使用了带有压电陶瓷的连续加压装置,在低温连续施加流体静压的情况下,可以调节量子点单激子能量兰移约320 me V。在对不同流体静压下单激子发光的二阶关联函数测量之后,证明流体静压并不影响单激子发光的单光子特性。同时通过流体静压,可以实现量子点双激子态由反束缚态到束缚态的转变,并且给出了这一过程的偏振分辨光谱图。最后观察到单量子点精细结构劈裂随流体静压的增加而增加,而且精细结构劈裂的增加量可以达到约150μe V。 相似文献
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报告并分析了ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ阱间弱耦合且阱中掺杂的第一类超晶格样品在７７Ｋ温度下分别以动态高速扫描方式和准静态低速扫描方式所测量的纵向输运的Ｉ－Ｖ曲线．从准静态数据发现各负阻段的段平均微分负阻基本上与样品偏压无关．分析表明,在Ｉ－Ｖ关系曲线平台区纵向电流与相邻势阱间偏压的关系中,共振隧穿过程与顺序共振隧穿过程的微分电阻值接近相等．本工作从高速动态数据确定了畴边界完成一次跳跃移动的时间,实验样品的这一时间为７０±３０ｎｓ,由此计算出隧穿电流的峰谷比约为２．０． 相似文献
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