超细HA涂层Ti基底复合种植体的制备新工艺

探讨了用溶胶－凝胶法（简称ＳＯＬ－ＧＥＬ）多次重复涂层烧结ＨＡ－Ｔｉ复合种植体，使多层超细ＨＡ涂层粉末的纯度、结晶度和ＨＡ晶体的纳米结构得到改善的工艺条件，此工艺能使涂层与基底材料各组分相互混合达到分子水平的均匀，并在界面生成牢固的化学过渡层。     

B介子的衰变

一般认为非相对论性夸克模型只在动量反冲较小的区域适用,而对动量反冲极大的B介子稀有衰变B→K^*y(q^2=0)不适用．工作于无限动量参照系的Bsw模型却恰好适用于q^2=0区域,可证明在该模型中用于联系B→K^*γ稀有衰变和B→ρev^-半轻子衰变q^2=0谱的一个比在SU(3)味对称下与具体波函数无关,还可证明该性质在相对论性光前夸克模型中,当b夸克质量无穷大时也成立,事实上相对论性光前夸克模型在b夸克质量趋于无穷大时退化成BSW模型。     

超细HA涂层Ti基底复合种植体的制备新工艺

探讨了用溶胶 -凝胶法 (简称SOL GEL)多次重复涂层烧结HA Ti复合种植体 ,使多层超细HA涂层粉末的纯度、结晶度和HA晶体的纳米结构得到改善的工艺条件 ,此工艺能使涂层与基底材料各组分相互混合达到分子水平的均匀 ,并在界面生成牢固的化学过渡层     

等离子体源离子注入柱形空心阴极内表面的蒙特-卡罗模拟

采用蒙特—卡罗方法对柱形空心阴极的氮离子(N ,N2 )注入进行了研究,考虑了氮离子与中性原子的电荷交换和弹性碰撞,计算了氮离子在不同压强下鞘层内表面的能量分布及角分布.     

双相Nd_(4.5)Fe_(76.5-x)Ga_xCo_(1.0)B_(18)复合磁体制备工艺对剩磁影响

对影响双相纳米晶 Nd4 .5Fe76 .5- x Gax Co1.0 B18剩磁的工艺条件进行了实验研究 ,并给出了一些有意义的结果 ,为深入开展这一国内外所关注课题的研究打下了基础     

对制备羟基磷灰石粉末工艺条件的再探讨

进一步探索了用溶胶－凝胶法制备羟基磷灰石粉末的工艺条件。实验表明：获得理想样品的最主要条件是硝酸钙和磷酸三甲酯的质量比约为２．８６∶１,溶胶液的ｐＨ值应取７左右。烧结温度控制在５５０～６５０℃,恒温时间控制在１．５～３ｈ,对于制备ＨＡ复合种植体特别重要。     

等离子体辅助的金属表面氮化的Monte-Carlo模拟

采用快电子和重粒子(N2^ ，N^ ，Nf)混合的Monte-Carlo模型，计算了氮直流辉光放电等离子体辅助的金属表面氮化过程中，原子态粒子(N^ ，N)的产生率及氮化粒子(N^ ，Nf)轰击靶表面的粒子数密度及入射角随气体温度的变化规律．结果表明，粒子(N^ ，N)的产生率及在靶表面的密度分布都随着放电气体温度的升高而减少；粒子(N^ ，Nf)在工件表面的分布均匀且主要表现为小角入射，入射角的分布受温度的影响较小．模拟结果与实验结果符合得较好．     

温度对氮活性粒子(N+,Nf)轰击阴极壁的影响

采用蒙特卡罗方法,模拟研究了氮直流辉光放电电子碰撞、离解和N2+电荷交换离解过程,产生的活性粒子(N+,Nf)轰击阴极壁的能量分布随放电气体温度的变化规律.结果表明阴极壁处活性粒子(N+,Nf)的能量最高且粒子数密度最大,最佳放电温度与参数(P,Vc)相关联.模拟结果为等离子体与材料表面的相互作用过程的认识提供了依据.     

D*介子的衰变

介绍了用相对论性光前夸克模型计算D*介子的强衰变和电磁衰变，其结果与CLEO Ⅱ实验结果相符合，特别是D