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利用热丝大面积金刚石薄膜气相合成(CVD)装备制备了复合金刚石薄膜,并对其表面和断面分别进行了扫描电镜(SEM),原子力显微镜(AFM)和Raman光谱表征,研究了该复合结构的介电性能,利用共振电路测量了高频下薄膜的介质损耗与频率的关系,结果表明,复合结构由普通多晶金刚石薄膜和纳米金刚石薄膜组成,薄膜的表层结构体现了纳 米金刚石的特征,复合金刚石薄膜不仅具有表面光滑的优点,介电性能也接近于常规的多晶金刚石薄膜,是一种较好的电子材料,可应用于金刚石薄膜半导体器件的制备。 相似文献
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