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采用三维resistive MHD数值模拟方法研究了上行离子对近地磁尾场向电流的影响. 模拟结果显示起源于夜侧电离层极光椭圆带源区的上行离子沿等离子体片边界层进入磁尾, 对近地磁尾场向电流有着重要的影响. 上行离子对场向电流的影响主要在近地磁尾(15 Re以内); 场向电流密度随上行离子通量增加而增加; 在通量相同的条件下, 上行离子速度越高, 场向电流密度越高; 近地磁尾场向电流密度与上行离子的纬度密切相关, 来自电离层较低纬度接近闭合磁力线区域的上行离子流更容易引起场向电流密度的增强; 由上行离子引起的场向电流和By 磁场分量有直接关系. 最后进一步将上行离子引起的近地磁层场向电流密度与电离层高度的场向电流密度进行了比较. 相似文献
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