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氮化碳薄膜的制备及C-N/CuInSe_2/Si异质结光伏特性 总被引:3,自引:0,他引:3
新材料氮化碳薄膜具有超强硬度和独特的物理、化学性质.近年来,引起国内、外学者的重视,1989年,Liu等从理论上预测人工合成具有β-C_3N_4结构的氮化碳材料的可能性,该材料有很大体变模量B,使其具有超强硬度等特性,极有可能在光电、磁、机械工业等领域获重要的应用,但合成工艺上一直没有取得突破,直到1993年,美国哈佛大学Niu等报道采用激光束蒸发石墨加氮离子束源工艺合成出氮化碳薄膜,该方法回避了等离子工艺过程的热动力学平衡及限制,显然只可作为人工合成预测的新材料的原理性方法而无法实用.我们从1988 相似文献
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光电器件用铟锡氧化物ITO薄膜的制备及特性研究 总被引:2,自引:1,他引:1
本文采用真空瞬时蒸镀加氧化热处理方法在玻璃和硅衬底上生长出ITO)铟锡氧化物薄膜。电阻率~10 ̄(-2)Ωcm,可见光区几乎透明,透射率达94%(6328A单色光源)。采用X光衍射和SEM技术分析了氧化热处理前后薄膜中组份及微结构的变化。ITO/p-Si异质结在日照下(AM1.5,100mw/cm ̄2)开路电压达180mv,该方法制各的ITO膜可作为光电接收电极层有效地应用在各类光电器件上。 相似文献
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氮化硅薄膜的快速热处理在太阳电池中的应用 总被引:2,自引:0,他引:2
研究了低温等离子体增强化学气相沉积(PECVD)氮化硅(SiNx)薄膜的快速热处理,发现一种能使硅片少子寿命(τ)显著提高的快速热退火工艺并对其机理和应用方法进行初步讨论.硅片在700℃、1 s的快速热处理下,τ提高200%左右,用PC1D--太阳电池模拟软件知其可带来0.54%的效率提高.同样的实验在已经扩磷的硅片上进行,少子寿命亦只提高55%.把上述研究和最新的激光烧穿接触工艺用于太阳电池,可使太阳电池效率有一定提高. 相似文献
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利用两源蒸镀Cu-In合金膜,在半封闭石墨盒中硒化,制备了具有单一黄铜矿结构的CuInSe2(CIS)薄膜,实验研究了合金膜组分与薄膜结构、形貌的关系,探讨了不同硒化温度对CIS薄膜组织结构,成分和晶粒尺寸的影响,结果表明,单一结构有利于Cu-In合金膜的均匀和平整,硒化过程中,随着硒化温度的升高Cu的损失量增加,In的损失量相对减少,在300℃硒化时开始出现CIS黄铜矿结构,350℃硒化所得薄膜绝大多数为CIS结构,500℃制得单一结构的CIS薄膜。 相似文献
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