用X射线双晶衍射方法测定GaMnAs组分

对计算化合物晶体点缺陷的模型做了改进，在此基础上建立了一种精确测定GaMnAs中Mn组分的方法，并且在测定GaMnAs晶格参数的实验过程中，建立了一种消除X射线衍射仪零点漂移的方法，提高了测定晶格参数的精确度，采用该方法测试分析了离子束外延技术制备的GaMnAs单晶中Mn组分。     

Ⅲ-Ⅴ族半导体微重力生长研究进展

空间微重力环境为理解被地面重力场掩盖的晶体生长现象与规律、探索新的晶体制备工艺提供了独一无二的平台.我国学者在过去的30多年里进行了Ⅲ-Ⅴ族半导体晶体的空间生长研究,主要进展有:在微重力条件下得到了器件级的半绝缘GaAs,基于其制备的低噪声场效应晶体管和模拟开关集成电路性能明显超过地基器件;通过抑制熔体静压力的作用,实现了GaSb及InSb两种材料的非接触Bridgman生长,并大幅降低了材料的位错密度;深入研究了浮力对流、Marangoni对流及旋转磁场驱动的强制对流对组分微观偏析的影响规律;将垂直梯度凝固法应用于半导体合金生长,获得了组分均匀分布的GaInSb材料.本综述回顾了以上方面的研究进展,并对半导体空间材料科学的未来挑战进行了展望.     

棉花半配合产生单倍体

多年来,棉花育种工作落后于稻麦等其它作物,其原因之一是种质资源贫乏。通过远缘杂交,是获得新的种质、提高棉花丰产性能的途径之一,但由于棉花远缘杂交的孕性不好和后代不易稳定等问题,给育种工作带来了很大的困难,故往往收效甚微。目前,正研究采用单倍体育种技术,以提高育种效果。据国内外报导,利用单倍体人工创造新品系的方法,大致有两个途径。一是通过花药离体培养,以诱导单倍体植株;另一途径是通过无融合生殖产生单倍体。由于棉花花药培养难度大,因此,截止目前,国内外均未诱导出独立植株,而应用无融合生殖,即半配合的方式产生单倍体,在国外已见成效。本文《棉花单倍体的半配合产生》材料,系根据单倍体的遗传是与嵌合体的遗传,即是一种半配合的特殊受精现象产生的。作者详细地叙述了半配合的产生、转移、遗传及利用半配合产生单倍体植株,再经染色体加倍,就可以得到各种基因重组的、遗传性稳定的纯合新品系。利用这种方法,如抓紧时间进行温室加代,可望一、二年内见成效。这就为现代的棉花育种和缩短育种年限,提供了新的手段。     

液体初始分散对逆流旋转床内传质影响的研究

探讨液体的初始分布对逆流旋转填充床流体力学特性和传质的影响。在逆流旋转填充床内，用水吸收空气中的氨，通过使用五种不同的液体分布器，研究操作条件(转速、气量、液量)对逆流旋转填充床气相压降和传质的影响。在相同操作条件下，不同液体分布器对旋转床气相压降影响表现为，旋转床气相压降随转速、气量的增加而增大，随液量的增大而减小，不同分布器对传质的影响不明显。气相总传质系数K_ya随转速、气量、液量的增加而增大；旋转床内的传质主要发生在填料层内，从分布器到填料空腔内的传质约占整个旋转床内传质的10%以下。