正交试验法在锅炉燃烧优化调整中的应用

本文介绍了某厂应用正交试验方法对锅炉燃烧优化调整试验的情况，通过对各种影响锅炉效率的因素进行分析对比，找出了锅炉最佳运行工况。     

600MW汽轮机汽门延迟关闭原因分析及对策

本文描述了某厂600MW汽轮机汽门关闭试验的情况,对各种原因进行了分析,找出了汽门延迟关闭的原因,并采取了切实有效的处理方法。     

《模拟CMOS集成电路》课程教学改革探索

<模拟CMOS集成电路>是微电子学专业的一门重要技术基础课.针对该课具有理论性及实践性都很强、内容多的特点,根据团队讲授该课程的体会,对教学内容、教学实践、教学方法、教学手段以及考核方式等多方面进行了改革探索,以期改善教学效果.     

一种二阶补偿的CMOS带隙基准电压源(英文)

提出了一种通过沟道长度调制效应进行二阶温度曲率补偿的CMOS带隙基准电压源,并分析了这种结构实现二阶温度曲率补偿成立的条件。采用0.35μm标准CMOS工艺库,在Cadence环境下进行仿真,在-50°～+120℃温度范围内,一阶曲率补偿的温度系数为9.5ppm/℃,而运用二阶曲率补偿后该基准电压源具有2.7ppm/℃的低温度系数。     

NBT基陶瓷中相变致电子发射的研究

在无铅铁电阴极钛酸铋钠（NBT）中获得了20 A/cm2的电流发射密度。在施加激励电压过程中，观察到了和其他阴极材料不同的3个发射电流峰。通过考虑相变因数对电流发射的影响，修正了基于极化反转致电子发射模型的电流发射公式，由此定量解释了在NBT基陶瓷中观察到的不同电流发射现象，揭示了电流发射不仅仅由已有文献中提出的快极化反转产生，也可以由极化的变化(比如相变)产生。为进一步验证该结论和弄清不同种类铁电阴极电子发射的机理，进行了NBT与锆钛酸铅（PZT）的电子发射比较实验。在电子发射前后观察到NBT的压电常     

一种两级CMOS运算放大器电源抑制比提高技术(英文)

在解释了传统基本两级CMOS运算放大器低电源抑制比(PSRR)原因的基础上,提出了一种简单电路技术来提高传统基本两级CMOS运算放大器中频PSRR。该方法原理是通过改变偏置结构产生一个额外的信号支路在输出端跟随电源增益,这样在输出端可以得到近似为零的电源纹波增益,从而能提高运放的PSRR。采用0.35μm标准CMOS工艺库,在Cadence环境下仿真结果显示,改进的运算放大器的PSRR在中频范围内比传统运算放大器可提高20dB以上。     

单密勒电容补偿多级放大器的设计(英文)

提出了一种结构简单的全新单密勒电容补偿技术。理论分析表明,该技术无需运放的跨导逐级增加就能获得良好的稳定特性,而且单位增益带宽大、补偿电容小。特别是每增加一级放大电路,就会增加一个左半平面零点,从而有效抵消新增加极点对运放稳定性的影响,因此该补偿技术很容易拓展到N(N>3)级联放大结构,这一特性有利于运放在实际中的运用。     

一种两级CMOS运算放大器电源抑制比提高技术

在解释了传统基本两级CMOS运算放大器低电源抑制比(PSRR)原因的基础上,提出了一种简单电路技术来提高传统基本两级CMOS运算放大器中频PSRR.该方法原理是通过改变偏置结构产生一个额外的信号支路在输出端跟随电源增益,这样在输出端可以得到近似为零的电源纹波增益,从而能提高运放的PSRR.采用0.35μm标准CMOS工艺库,在Cadence环境下仿真结果显示,改进的运算放大器的PSRR在中频范围内比传统运算放大器可提高20 dB以上.     

单密勒电容补偿多级放大器的设计

提出了一种结构简单的全新单密勒电容补偿技术.理论分析表明,该技术无需运放的跨导逐级增加就能获得良好的稳定特性,而且单位增益带宽大、补偿电容小.特别是每增加一级放大电路,就会增加一个左半平面零点,从而有效抵消新增加极点对运放稳定性的影响,因此该补偿技术很容易拓展到N(N>3)级联放大结构,这一特性有利于运放在实际中的运用.     

一种二阶补偿的CMOS带隙基准电压源

提出了一种通过沟道长度调制效应进行二阶温度曲率补偿的CMOS带隙基准电压源,并分析了这种结构实现二阶温度曲率补偿成立的条件。采用0.35 μm标准CMOS工艺库,在Cadence环境下进行仿真,在-50°～+120℃温度范围内,一阶曲率补偿的温度系数为9.5 ppm/℃,而运用二阶曲率补偿后该基准电压源具有2.7 ppm/℃的低温度系数。