CsCrCl_3晶体的光谱研究

本文基于弱场图象，利用Ｒａｃａｈ不可约张量算符法，建立了ｄ４（Ｃ＇３ｖ）离子含旋轨耦合作用的完全能量矩阵。借助此矩阵，利用完全能量矩阵的对角化方法，对ＣｓＣｒＣｌ３晶体的光谱进行了理论计算，其结果同实验结果很吻合。同时，本文从理论上证明了２３２２８ｃｍ（－１）、２３３１０ｃｍ（－１）这两条强谱线产生于双中心跃迁。     

ZnSe：Co^2＋晶体的光谱和EPR谱

本文通过引入两个共价因子Ｎｔ，Ｎｅ，推导了包含Ｒａｃａｈ参量Ａ的参量矩阵，并用高阶微扰方法推导了ｇ因子计算公式。在此基础上计算了ＺｎＳｅ：Ｃｏ＾２＋的晶场光谱和顺磁ｇ因子，其理论值与实验结果吻合较好。     

SS433在进动不稳定情形下的拍现象及多普勒频移残差的轮廓分布

本文得出了SS433在进动不稳定情形下,章动所引起的短周期变化中仍存在拍现象.并考虑到章动和进动不稳定性两种因素的共同影响,计算出了残差(Z-(?))分布的理论曲线,用计算机作出轮廓图,与由观测点偏离拟合进动曲线的残差分布轮廓图比较吻合得较好.     

对SS433阻尼正弦模型的改进

本文用Anderson的方法,利用Anderson,Margon等人的数据,重新分析和比较了进动不稳定性的正弦模型及阻尼正弦模型,并在此基础上提出了改进的进动不稳定性模型.最后,作了数理统计分析.结果表明,改进模型更好的描述了位相的变化.     

CaF2晶体中四角对称的Yb3+- F-中心的电子顺磁共振参量的理论研究

作者用考虑了二阶微扰贡献的理论公式和由光谱获得的晶场参量，计算了CaF2晶体中四角对称的Yb^3 -F^-中心的电子顺磁共振参量(g因子和超精细结构常数Ai)，计算结果与实验结果符合较好。     

掺Mo钨酸盐BaWO4中g因子和局部结构的研究

用建立在双机制模型的高阶微扰公式计算了X-射线照射的钨酸盐BaWO4中四角对称(MoO4)3 Symbolm@@ 四面体基团的g 因子,在这个模型中,不仅考虑了常用的晶场机制,而且还包括了常被忽略的荷移机制对g因子的贡献.计算结果表明,要合理和准确地计算高价态dn离子在晶体中的g因子,荷移机制的贡献应予考虑.通过计算,还获得了BaWO4中(MoO4)3 Symbolm@@ 杂质中心的局部结构数据.     

d~3电子在立方对称下的能量矩阵和g因子四阶微扰公式及应用

本文通过引入两个共价因子Ｎ１、Ｎｅ推导了包含Ｒａｃａｈ参量Ａ的能量矩阵。并用高阶微扰方法推导了ｇ因子四阶微扰公式，在此基础上，计算了ＧａＡｓ：Ｃ２＋０的晶场光谱和顺磁ｇ因子。其理论值和实验结果吻合较好。本文结果表明，对于半导体，Ｒａｃａｈ参量Ａ对晶场光谱和ｇ因子的贡献不可忽略。     

GaAs:Co2+光谱的理论研究

GaAs是具有重要用途的半导体,其掺入过渡金属离子后的光学及磁学性质日益受到人们普遍关注。在实验上许多人,如Ennen等人及Henned等人对GaAs:Co~(2+)进行了研究。然而在GaAs:Co~(2+)光谱理论研究方面,经典晶场理论未区分d电子t_(2g)轨道和e_g轨道差别,因而忽略了Racah参量A的影响,这对共价性很强的GaAs:Co~(2+),显然将引起大的误差。 本文对Racah静电相互作用考虑了t_(2g)轨道和e_g轨道间的区别,推导出d~(3,7)电子组态在O_h对称下新的能量矩阵公式,且与经典晶场理论计算的结果进行比较,得出t_(2g)与e_g轨道的差别将明显影响半导体中过渡金属离子的能级及Racah参量A的贡献是不可忽略的结论。并用以计算了GaAs:CO~(2+)的光谱,得到了与实验一致的结果。     

KZnF3:Mn2+晶体光谱和EPR谱热移动的研究

对掺杂晶体，由于杂质离子的大小及其所带电荷与它所替代的基质晶体离子不同，这些杂质离子附近的局部结构和局部性质(如局部热膨胀系数和局部压缩率)就会与基质晶体的数据不一样．研究这些杂质中心的局部结构(或称缺陷结构)和局部性质对认识杂质与基质晶体的相互作用，进而认识材料掺杂