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研究了200 keV注入能量下, 单步氧离子注入工艺制备SIMOX材料的剂量窗口. 在此基础上, 提出了一种第一步注入剂量为3.6×1017 cm−2、第二步注入剂量为3×1015 cm−2的改进型两步氧离子注入工艺, 用于制备高质量的SIMOX材料. 与单步氧离子注入工艺的剂量窗口相比, 注入剂量减少了18.2%. 采用椭圆偏振测试仪测量了所制备样品的埋氧层厚度及均匀性. 通过透射电子显微镜观察到无缺陷的顶层硅以及原子级陡峭的顶层硅/埋氧层界面, 表明两步氧离子注入工艺制备的SIMOX材料具有高的顶层硅晶体质量和剖面结构. 采用原子力显微镜对比研究了单步和两步氧离子注入工艺制备的SIMOX材料顶层硅/埋氧层界面形貌. 相似文献
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以烯丙基硝基化合物为原料,合成α,β-不饱和羧酸,反应条件为烯丙基硝基化合物0.003mol,HAc30.13mmol,DMSO6.25mL,反应时间6h,反应温度37℃,产率可达到85%. 相似文献
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以甲醛,丙醛,硝基乙烷为原料,经过加成,脱水,羟烷基化,三步合成烯丙位硝基化合物2-甲基-2-硝基-3-戊烯-1-醇。总收率41.4%。 相似文献
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