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本文用具有纯滞后的一阶系统作为单容水槽的模型,给出了该系统双位控温的极限(最佳)指标,分析了环境温度干扰和电源波动对控温稳态精度的影响,引出了水槽各参数的测量方法,提出了一系列提高精度的控温方法和具体措施。按照本文提供的指导,我们设计的内加热槽和外加热槽均已超过5/1000℃的控温精度指标,并且外加热槽已长出了宏观完美的较大尺寸的KDP单晶。对被研究的系统本文证明了在稳态控制下加热周期和控温精度的等价性。并根据育晶水槽的控制状态正常情况下只与稳态有微小的偏离这一特性,提出了状态报井的概念。该报井系统具有高精度、无时滞、设备及操作维护极其简单等特点。目前正在试用过程中。 相似文献
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本文描述 DKDP 晶体的固一回生长现象。它可以在四方母体上发生,也可以在单斜母体上发生。固一固生长过程与母相晶体的对称性有关,与周围的介质无关。测量了不同温度下的生长速度,对固一固生长的机制进行了讨论。 相似文献
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