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二价离子掺杂钨酸铅晶体的计算机模拟 总被引:1,自引:0,他引:1
应用GULP软件计算了PbWO4(PWO)晶体中分别掺杂Zn、Ca二价离子的相关缺陷生成能,并对计算结果进行了讨论.结果表明,Zn离子进入PWO晶体中只能占据铅空位附近的填隙位置,而Ca离子进入PWO晶体中可以占据铅空位,也可以占据铅空位附近的填隙位置,这两种情况出现几率近似;对于相同的掺杂浓度,在掺Zn的PWO晶体中的孤立铅空位数量比掺Ca的PWO晶体中少,从而掺Zn可以更好地抑制与铅空位有关的短波段吸收,增加晶体的光产额. 相似文献
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使用相对论性密度泛函计算程序,按照能量最低原理采用共轭梯度方法,对缺铅的钨酸铅晶体进行结构优化处理.计算了铅空位周围晶格的弛豫,得到铅空位周围的晶格结构.结果表明,铅空位周围次近邻的正离子(Pb^2 和W^6 )向铅空位迁移,而铅空位周围最近邻的负离子(O^2-)向远离铅空位的方向迁移.晶格的驰豫结果使铅空位处的电负性降低. 相似文献
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填隙氧离子对钨酸铅晶体光学性质的影响及绿光起源的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
应用GULP软件按照能量最低原理确定了钨酸铅(PWO)晶体中填隙氧离子的位置,再用CASTEP软件计算了完整PWO晶体和含有填隙氧离子的PWO晶体的总态密度、分态密度和吸收光谱.计算结果表明,填隙氧离子的存在不会造成PWO晶体可见光区的显著吸收;PWO晶体中的绿光中心可能起源于WO4 Oi. 相似文献
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采用离散变分法计算了PbWO4晶体的能带结构,并用F心及F^ 心的类氢离子1S波函数结合离散变分法计算了F心及F^ 心的电子基态能级,计算结果表明,F心及F^ 心电子基态能级分布在禁带中,分别位于距导带底1.97eV(630nm)及2.36eV(525nm)处,它们的吸收跃迁对应于基态到导带底的跃迁,使晶体呈现F心及F^ 心吸收带,化学计量PbWO4晶体的辐照诱导吸收谱位于500-700nm,呈现一个宽吸收带,高斯分解的结果表明;该吸收带是由两个峰值分别位于550nm和680nm的吸收带叠加而成的,这两个吸收带分别对应于F^ 心及F心吸收带,计算结果与实验数据吻合较好。 相似文献
5.
镁铝尖晶石本征色心的计算机模拟 总被引:2,自引:1,他引:1
利用计算机模拟技术和经验参数化方法,通过对镁铝尖晶石(MgAl2O4)晶体结构、晶格形成能及本征缺陷形成能的计算,论证了镁空位VMg^2-、氧空位Vo^2 和少量的AlMg^ 是MgAl2O4中的本征点缺陷.并指出其会以[VMg^2--Vo^2 ]空位对和[VMg^2--2lMg^ ]的形式实现电荷补偿. 相似文献
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钨酸铅晶体中F型色心电子结构的研究 总被引:2,自引:2,他引:0
运用相对论性的密度泛函离散变分(DV-Xα)方法模拟计算了PbWO4(PWO)晶体中F型色心的电子结构,得到了PWO晶体的态密度分布,讨论了色心的可能光学跃迁模式,并用过渡态方法计算了跃迁能量。计算结果表明,F、F^+心在PWO晶体的禁带中引入了施主能级,F、F^+心可向W 5d轨道发生跃迁,其跃迁能分别是1.83eV、2.28eV,因此,可推断F、F^+心能引起PWO晶体中680nm、550nm的吸收。 相似文献
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应用计算机模拟方法计算分析了掺杂K离子的PbWO4晶体,在不同杂质离子浓度下,K离子的位置及伴随的各种可能存在的缺陷的生成能,明确了晶体掺杂后的缺陷化学及相应的缺陷反应,揭示了低浓度掺K^ :PbWO4的350nm吸收带减弱的原因.计算结果表明,高浓度掺K离子将消除420nm吸收带,改善PbWO4晶体的抗辐照损伤性能. 相似文献
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用X射线研究由PI膜制备石墨化碳微晶的结构特性 总被引:3,自引:0,他引:3
用X射线衍射技术对固相炭化过的PI(聚酰亚胺)膜的石墨化碳微晶的结构特征进行了考察.结果表明,该薄膜的石墨化始于热处理温度2 100℃左右;在2825℃及其以上温度热处理过的薄膜样品的微晶碳层具有很好的取向,并呈现出明显的多相石墨化现象,获得了该试样的镶嵌结构信息;对于3 160℃热处理过的薄膜样品来说,其层间距和镶嵌度分别为0.335 45nm和5.4°. 同时,就其石墨化度稍有不同的两种结晶相的来源进行了一些推理性的讨论,这对更全面地了解该类石墨化产物的结构提供了新的科学知识. 相似文献
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采用缺陷化学方法讨论了PbWO4晶体中不同浓度掺La^3+时可能存在的缺陷团簇模型,通过GULP计算软件模拟计算了缺陷团簇中La^3+离子最可能的替位位置,并通过基于密度泛函理论的离散变分DV-Xa方法计算得到相应的La3^+:PWO4晶体的电子态密度.计算得到低浓度掺杂时晶体的禁带宽度变宽,高浓度掺杂时晶体的禁带宽度变窄.实验测得低浓度掺La^3+时晶体的吸收边紫移,高浓度掺La^3+时晶体的吸收边红移,计算结果与实验结果相符、计算表明,La^3+:PWO4晶体中掺La^3+可以有效地抑制420nm吸收. 相似文献
10.
采用缺陷化学方法讨论了PbWO4晶体中不同浓度掺La3 时可能存在的缺陷团簇模型.通过GULP计算软件模拟计算了缺陷团簇中La3 离子最可能的替位位置,并通过基于密度泛函理论的离散变分DV Xα方法计算得到相应的La3 ∶PWO4晶体的电子态密度.计算得到低浓度掺杂时晶体的禁带宽度变宽,高浓度掺杂时晶体的禁带宽度变窄.实验测得低浓度掺La3 时晶体的吸收边紫移,高浓度掺La3 时晶体的吸收边红移,计算结果与实验结果相符.计算表明,La3 ∶PWO4晶体中掺La3 可以有效地抑制420 nm吸收. 相似文献