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喇曼光谱及扫描镜徽区形貌象说明,E_u~+注入(注入能量350Kev,注入剂量2×10~(15) cm~(-2) )n 型单晶硅后,在表面可形成一连续非晶层.经过895℃快速热退火(RTA)可以消除注入损伤,Si 损伤区恢复完整;当快速退火温度为1285℃时,在硅表面存在 E_u 的表面偏析及表面增强喇曼散射(SERS)现象,我们对增强机理进行了讨论. 相似文献
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研究了ＹＢａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿（７－δ）超导体的正电子寿命谱，利用两态捕获模型对实验结果进行了分析，并与非超导的同类样品作了比较，研究了各寿命参数及电子结构和缺陷浓度的变化，观察到了样品内部ＰＳ及ＰＳ￣（－）束缚态的形成现象． 相似文献
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