首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   9篇
  免费   0篇
  国内免费   1篇
综合类   10篇
  2024年   1篇
  2009年   1篇
  2007年   2篇
  2004年   2篇
  2001年   1篇
  1999年   1篇
  1992年   1篇
  1983年   1篇
排序方式: 共有10条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1
1.
保卫 《甘肃科技》2007,23(11):61-62
利用数学软件Mathematica进行蒙特卡罗模拟,给出相应程序,从而快速、精确地得到风险数据来帮助投资决策。  相似文献   
2.
目的 研究矩阵广义Schur补的商性质和特征值交错不等式。方法 主要利用半正定Hermitian矩阵及矩阵Moore—Penrose广义逆的性质进行研究。结果 对半正定Hermitian矩阵,给出了其广义Schur补的一个极小表示,将矩阵Schur补的商性质推广到广义Schur补,并得到几个重要不等式。结论 对半正定Hermitian矩阵,其广义Schur补具有商性质及特征值交错性质,但对一般Hermitian矩阵,这两个结果均不一定成立。  相似文献   
3.
微量氟元素与人的健康有密切关系,在缺氟的地区,儿童龋齿患病率偏高,老人跌跤易骨折。国外报导,饮茶和吃海产品可以补充氟的不足。广西饮水氟含量一般为0.06毫克/升,系偏低值。故调查广西茶叶氟含量甚有必要。  相似文献   
4.
采用H2O2-Fe2+法处理3-羟基-2-萘甲酸(简称2,3酸)生产废水.在pH=2.8-2.9(原液),(FeSO4·7H2O)=0.5kg/t废水,t=20 min,T=45℃-80℃时,去除率可达93.2%,处理后水可达排放标准.  相似文献   
5.
基于铁磁/重金属异质结结构的纯自旋流电子器件具有低功耗、非易失性等优点,是当前自旋电子学研究的核心内容。该文利用超导量子干涉仪以及铁磁共振测量系统等手段,对分子束外延法生长的铁磁/重金属异质结Fe3O4/Au单晶薄膜的静态及动态磁性能进行了系统研究。研究表明,随薄膜厚度的增加,Fe3O4的单轴磁各向异性逐渐减小而磁晶各向异性逐渐增强。Au覆盖层的引入有助于单晶超薄膜的晶格弛豫,进而有效增强了Fe3O4的磁各向异性。该研究为铁磁/重金属异质结的构建提供了新的思路,有望推动其在纯自旋流电子器件中的实用化进程。  相似文献   
6.
针对一类非线性不确定时滞中立系统,讨论了具有记忆和非记忆混合型反馈保性能控制器设计问题。[JP2]对于标称系统以线性矩阵不等式(LMI)形式给出一个反馈控制器存在的充分条件。基于上述充分条件给出含不确定项系统的相应结果.所得结果可以利用Matlab/LMI工具箱进行处理。最后,数值例子说明了方法的可行性  相似文献   
7.
以二正丁胺(DBA)为结构导向剂,合成了含18元环的VPI-5分子筛.晶化体系的化学组成为DBA·Al_2O_3·P_2O_5·40H_2O。实验发现,合成过程中的二次陈化步骤非常重要,陈化时间分别以3~7h和1.5~2h为好。适宜的晶化温度为120~130℃。晶化时间为18~24h。通过DTA-TG及XRD的研究表明;合成出的VPI-5具有较高的热稳定性,可达800℃。对VPI-5酸性的测定,表明它只有一种弱酸中心,不能作为强酸性催化剂使用。  相似文献   
8.
本文研究了二甲酚橙(XO)-溴化十六烷基三甲胺(CTMAB)与铜(Ⅱ)、钴(Ⅱ)的显色反应.结果表明在pH8.0,溴化十六烷基三甲胺存在时,铜(Ⅱ)、钴(Ⅱ)与二甲酚橙能形成稳定的络合物.其最大吸收波长均为590nm,摩尔吸光系数分别为6.9×104L·mol-1·cm-1和3.6×104L·mol-1·cm-1.铜(Ⅱ)含量在0~15.1μg/25mL内,钴(Ⅱ)含量在0~18μg/25mL内符合比尔定律.线性方程及回归系数分别为A=4.765×10-3+0.0185C,γ=0.9962;A=3.005×10-3+7.481C,γ=0.9966.应用本法测定了铅合金标样中的微量铜.  相似文献   
9.
在洛伦兹规范条件下,导出了具有平移不变性的双胶子两点函数非微扰真空平均值.借助于QCD运动方程,建立了〈0|B2|0〉与〈0|ψψ|0〉及〈0|αsπG2|0〉之间的关系,定出了〈0|B2|0〉的唯象值约为-(127MeV)2.  相似文献   
10.
秘书工作事务繁杂,时间紧迫,领导要求严格,这些都很容易使秘书人员产生心理挫折。文章分析了秘书心理挫折的表现形式及产生的原因,提出了有效调节秘书心理挫折的方法。  相似文献   
1
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号