近场光学高密度存储研究进展

鉴于高存储容量和高传输率在未来数据存储方面的重要性 ,近场光学存储作为一种新的高密度存储手段 ,近年来受到很多关注 .近场光学存储主要有三种方案 :固体浸液透镜方案、探针型方案以及超分辨率的近场结构 .本文对这三种方案的实现方法以及最新的进展作了较详细的阐述 .     

光致表面等离子体波技术及其应用

激光和金属表面的作用可以形成表面等离子体波 (SPW) ,基于SPW技术发展了许多探测和加工技术 .本文主要介绍激光和金属表面作用产生表面等离子体波的机制以及SPW技术在一些领域的最新应用情况 ,例如精密角度传感器、液体传感器及内表面成像技术     

相对论电子二束流不稳定性研究

给出了强磁场弱相对电子束稳定性判据，在ω≈ｋｚｃ和ω≈ｋ２ｃ－ω０时出现二束流模，使用解析方法严格求解了相对论电子静束流模的色散关系并了它的不稳定性。     

等离子体沉积聚合物膜应用于医学抗凝血材料的研究

本文介绍了接触血液的聚合物的医学应用和血液相容性材料的定义,讨论了等离子体沉积聚合物膜的特性和应用,特别是在抗凝血材料方面的应用.     

DNA芯片和蛋白质芯片的制备与检测

微阵列生物芯片技术是近年来小型化技术发展的重要方面。多达2万个以上的基因——占人类表达基因总数的一半——可以被排列在一张厘米见方的基板上，成为定址的探针阵列；每个位点的直径为50～150微米。当样品溶液流经芯片时，溶液中的靶标分子与探针分子相互作用而被捕获。通过研究这样制备的芯片，能了解靶标分子在样品溶液中的浓度，或者它们的理化性质。     

18Ar^q＋（q=1,2）与H和He碰撞的电荷剥离截面

采用二体碰撞近似和托马斯费米近似计算了多电荷离 子１８ Ａｒｑ＋ （ ｑ ＝ １ ,２） 与中性原子 Ｈ 和 Ｈｅ 碰撞的电荷剥离截面以及离子势函数和电子动量分布．计算结果与文献［５］ 中数据符合得较好．所用的计算公式和计算程序可以计算任何一个多电荷离子 Ａｑ＋ 与 Ｈ 和 Ｈｅ 碰撞的电荷剥离截面,因而具有一定的普遍意义     

大幅Langmuir Soliton及其Liapunov稳定性

迄今为止,等离子体中的Soliton问题的研究,大部分是在弱非线性理论基础上进行的,例如文献[1,2]只考虑二阶高频场作用。文献[3,4]虽然讨论了强非线性和四阶高频场作用,但未给出这种情形下的孤立子解的形式。本文目的是求解四阶高频场作用的Langmuir波拍     

等离子体刻蚀

本文介绍了等离子体刻蚀的概念、优点和应用,刻蚀的物理机制和稠密等离子体源与器件损伤.     

相对论电子冷束流的静电双流不稳定性的解析和数值研究

一、引言双流不稳定性在磁约束装置(如Tokamak)中,在激光聚变和相对论电子束聚变中都会出现,它对离子的加速,靶丸的压缩和引燃都起重要作用。为了更好地利用和控制它,弄清楚它同各种参数的依赖关系和不稳定性存在的区域是必要的。本文考察相对论效应、电子密度对静电双流不稳定性的影响。在文章[1]、[2]中,给出了等离子体中相对论冷电子束所激发的静电双流不稳定性的色散方程。对这种色散关系,过去已有很多人讨论过,但都是在某种近似下求解或数值求解。本文则是严格解析求解,并用数值方法计算了强束流时的增长率α随u_1=K_u/ω_(pa),u_2=n_(Be)/n_e的变化。结果表明,在强束流情况下的不稳定增长率的极大