我国大学体育课程改革发展的趋势

任何一项教育改革事业,均需要扎实的理论为指导,这种理论绝不局限于宏观的教育理论,还包括反映具体学科规律的课程理论为指导;任何一项教育改革更需要来自第一线的具体学校的教育改革的实际经验作支撑,这种经验不局限于感性经验,还包括了对感性经验进行理性分析的系统经验。本文以我国大学改革实践为基础,对我国大学体育课程改革的现状分析和总结并对我国大学体育课程改革作进一步预测,进一步推进大学体育课程改革的进程。     

降低L—胱氨酸生产成本的措施

L一胱氨酸是从毛发中提取的重要生化药品,有广泛的用途。近年来国内外用量不断增加,市场一直供不应求。我国有丰富的胱氨酸生产资源。从事生产胱氨酸的乡镇企业及个体户连年增加。但从总体上来看,生产效益不高。根据调查分析,有以下原因:一是原料涨价,由于胱氨酸近年市场看好,价格不断上涨,引起原料收购价不断提高。二是技术不过关,有些企业不     

针刺对胸内肿瘤化学疗法中自由基等指标的影响

恶性肿瘤的化学疗法会产生自由基升高和白细胞数目降低等副作用,临床表现恶心、呕吐、厌食、疲乏等症状。 本文应用针刺“足三里”、“阴陵泉”、“内关”等穴位配合化学疗法,结果血中脂质过氧化物(LPO)降低,白细胞增多、消化道症状和疲乏感降低,这说明针刺疗法可作为化学疗法的重要支持手段。 针刺降低自由基的原理估计是激发了体内降解酶的作用。     

自适应扫频随机共振方法的研究

针对大参数信号二次采样随机共振应用的局限性,提出了自适应扫频随机共振方法.该方法根据信号、噪声和系统三者协调作用发生随机共振时的关系,自动调整采样频率和双稳系统的结构参数,从而自动获取随机共振状态.将此方法应用于实际噪声下弱信号的提取,取得了较好的结果.     

D-和L-肉碱对映体的毛细管电泳分离研究

提出了用毛细管区带电泳分离和检测肉碱对映体的方法.肉碱消旋体用4-溴苯甲酰甲基溴衍生化,并经选择性手性试剂--磺化β-环糊精和手性冠醚[(S,S)-1,7-bis(4-苯基-5-羟基-2-氧-3-氮苄基)-1,7-二氮杂-12-冠-4]协同作用后,可得到良好分离,并用紫外检测器检测,两异构体的检测下限约为80 ng/mL.     

基于变步长随机共振的弱信号检测技术

针对绝热近似小参数随机共振难以满足工程实践中大参数下的弱信号检测，以及单一频率的共振分析在实际应用中的局限性问题，提出了一种变步长随机共振数值算法．该方法通过调整计算步长，使随机共振理论同时适用于犬、小参数条件下的弱信号特征提取．计算机仿真结果表明，对变步长随机共振后的信号作幅值谱和小波分析，均能准确得到低信噪比信号中的多个有用成分，充分证明该算法在大参数条件下可对弱信号中的多个特征频率产生共振输出．同时，变步长随机共振也可以有效抑制信号小波分解中由强噪声引起的边频干扰，提高小波分析在低信噪比信号检测中的可靠性．     

电子商务安全支付技术及其应用

该文就备受关注的电子商务安全支付技术做了简要回顾,重点讨论了常见的各种网络支付方式的流程及安全性。指出网络安全技术重在保证数据安全性,使网络交易的安全得到了基本保障。     

利用金属离子使发光分子固体基质室温燐光猝灭法测定痕量银

发光分子水杨基荧光酮羧甲基纤维素铅微球(L-[(CMC)2Pb-THBF]-MB)在滤纸基质上可发射强而稳定的室温光.基于EDTA与Pb2 的络合反应,使L-[(CMC)2Pb-THBF]-MB微球转化为水溶性组分(PbY2-、2CMC-、THBF),该组分与痕量的Ag 作用生成(CMC)2Ag-THBF,导致S-L-[(CMC)2Pb-THBF]-MB的固体基质室温光猝灭,建立了发光分子水杨基荧光酮羧甲基纤维素铅微球固体基质室温猝灭测定痕量银的新方法.Ag 的含量在8.0~40.0 fg/斑(20.0~100.0 pg/mL)内与ΔIp值符合比尔定律,工作曲线回归方程为ΔIp=12.56 0.5527CAg (fg/斑),r=0.999 2,检出限为2.2 fg/斑.该方法用于人发、茶叶中痕量银的测定,结果满意.     

"科技大跃进"同样要不得

据香港《文汇报》报道,中国科学院14名知名院士联名“上书”科技部等部委,希望投资17.5亿元人民币,在2008年奥运会前建成世界上第一条可供乘客乘坐的载人高温超导磁悬浮列车10公里试运行线,向世界展示中国的高温超导技术。 院士们是以振兴民族科技创新为理由的,因为凭借美国、日本、德国等的资金和技术基础,很可能赶在中国之前实现高温超导磁悬浮列车的商业化。但是,为了保住这个载人高温超导“世界第一”的     

垂直氮化镓功率晶体管及其集成电路的发展状况

氮化镓作为第三代宽禁带半导体材料的代表之一,因其优越的性能,例如高电子迁移率、高电子饱和速率、耐高温及高热导率等优点吸引了越来越多的关注.也正是因为这些优点,垂直氮化镓功率晶体管在未来的电力电子领域中具有很大的发展和广泛的应用前景.本文列出了氮化镓材料和其他半导体材料主要的物理参数、氮化镓单晶制备及其外延生长的主要方法,阐述了氮化镓功率器件在目前环境下的优势.针对器件结构,列出了横向器件本身存在的问题和垂直器件的优点,解释了垂直器件为何能够成为未来功率器件的主流结构.在此基础上,详细介绍了氮化镓电流孔径垂直晶体管、垂直氮化镓沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管、基于原位氧化物氮化镓夹层的垂直沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管和垂直氮化镓鳍式场效应晶体管的结构、工作原理、研究进展及所存在的一些问题,并将文中所提及的垂直氮化镓功率晶体管的性能参数按器件种类和时间顺序进行归纳为未来氮化镓功率晶体管的发展提出了大致的方向.针对集成电路系统,归纳了氮化镓功率器件在驱动芯片方面的特殊要求和关键技术.最后,针对当下的市场环境,列举了垂直氮化镓功率晶体管在中、低压范围内比较热门且发展前景较好的应用场景.