一次γ辐射通量密度的蒙特卡罗模拟

利用蒙特卡罗方法,模拟计算了不同情况下点源、均匀线源以及均匀圆盘源的一次γ辐射通量密度,并与解析方法计算结果进行分析、比较,在误差范围内,两者很好的符合。说明蒙特卡罗方法是解决γ射线屏蔽问题的一种方便、可靠的方法。     

ZnO 空穴缓冲层对OLED 性能的影响

本文利用无机材料ZnO作为空穴缓冲层,制备了结构为ITO/ZnO/NPB/Alq3/Al的有机电致发光器件。用计算机控制的KEITHLEY2400-PR655系统测量器件的电压-电流-亮度特性。研究结果表明,当ZnO薄膜的厚度为2 nm时,器件的电流效率可达1.65 cd/A,最大亮度为3 449 cd/m2;而没有加入缓冲层的同类器件,最大亮度仅为869.7 cd/m2,最大电流效率为0.46 cd/A。由此可以看出,加入ZnO空穴缓冲层后,最大亮度提高3.97倍,最大电流效率提高3.59倍。分析认为适当厚度的ZnO薄膜降低了发光层空穴的浓度,提高了电子和空穴的复合率,从而降低了电流密度,提高了器件的电流效率,改善了器件性能。     

光学微腔效应在有机电致发光中的应用

由于Fabry-Perot微腔效应对有机电致发光二极管有光谱窄化、光强增强及调节发射峰波长等作用,这些特点分别可以提高彩色显示器的色纯度、发光效率等。因此得到研究人员的重视。本文阐述了Fabry-Perot光学微腔结构及微腔效应的理论依据及应用。     

锗探测器效率曲线的半经验公式拟合

本文介绍了用半经验公式对60-2600 keV能区同轴Ge(Li)、HPGe探测器对圆柱型体源探测效率曲线的拟合,通过与八参数函数进行比较,说明了半经验公式的适用性.且提出了半经验公式修正项.     

60~2614keV能区同轴锗探测器效率曲线半经验拟合表达式的研究

作者研究了两类关于同轴锗探测器全能峰效率曲线的拟合公式.这两类公式对拟合参数都是线性的,都是由γ射线与物质相互作用过程(光电吸收、康普顿散射和电子对产生)的几率随入射γ射线能量的变化关系的渐近表达式中的若干项合并调整而得到的.两类公式都能够在很宽的能区上很好地拟合同轴锗探测器对点源、面源和圆柱体源的全能峰效率曲线.     

有机无机复合电致发光的研究进展

为了获得更好的发光器件,将有机材料与无机材料制成复合体,取长补短,使其在平板显示技术中具有极大的应用前景.本文在简述有机与无机电致发光原理的基础上,介绍了有机一无机复合器件的研究进展,重点阐述在具有不同结构的有机-无机异质结器件中无机材料所起的作用.通过对无机界面修饰层修饰电极、基于Ⅱ-Ⅵ族半导体材料有机无机复合电致发光等方面的综合探讨,总结出有机-无机复合器件的优势:能得到更好的Ⅰ-Ⅴ特性曲线和更高的发光效率,对器件内部场强起调节作用并且改善两种载流子的平衡注入,为今后在制作有机.无机复合器件方面做更深入的研究提供参考.