气相生长统一模型

从微观输运与化学反应动力学出发,将薄膜气相生长过程划分为五个步骤,基于对步骤的分析,得到了淀积过程的共同规律,建立了气相淀积生长速率的统一模型.代入有关参数和少数实验数据即可得到具体的实用模型.文中揭示的薄膜生长规律对于优选工艺方法和具体工艺参数具有参考意义.     

宏观粒子在等离子体中的纯化模型研究

从宏观粒子和微观粒子的输运现象及等离子体化学入手，建立了宏观粒子沉降过程中的纯化模型，计算了各类粒子的浓度的径向分布、加速度、速度、沉降时间及杂质的去除总量。结果表明，对于纯度为99％的Si-Ge合金颗料中的杂质总量可去除97％左右。计算结果与实验结果接近。     

甲硅烷常压CVD淀积非晶硅研究

本文讨论了以甲硅烷为源,用常压CVD法(APCVD)制备非晶硅的设备改进及工艺优化,提供了一些实验结果.文中着重分析了CVD过程,讨论了在较低温度下获得高淀积速率的原因.     

冷等离子体冶金中的粒子输运现象研究

介绍了冷等离子体冶金效应的实验方法和结果,列出了反应粒子的输运方程,较详细地分析了它们之间的耦合关系,在讨论了输运方程的求解过程中,证明各种粒子的输运速率是与提效果紧密相关的。提供了对硅的提纯结果和工艺参数,列出了氯原子的输运速率和硅粉温度关系的计算结果。     

宏观粒子在等离子体中的输运模型研究

建立了等离子体中宏观粒子的输运模型，计算了粒子沉九的加速度、速度和时间，得出了粒子收集的判据和沉降过程中提纯效应可提高很多的结论。这对等离子体的工业应用具有重要的意义。     

宏观粒子在等离子体中的纯化模型研究

从宏观粒子和微观粒子的输运现象及等离子体化学入手 ,建立了宏观粒子沉降过程中的纯化模型 .计算了各类粒子的浓度的径向分布、加速度、速度、沉降时间及杂质的去除总量 .结果表明 ,对于纯度为 99%的Si Ge合金颗粒中的杂质总量可去除 97%左右 .计算结果与实验结果接近     

冷等离子体冶金中的粒子输运现象研究

介绍了冷等离子体冶金效应的实验方法和结果,列出了反应粒子的输运方程,较详细地分析了它们之间的耦合关系.在讨论输运方程的求解过程中,证明各种粒子的输运速率是与提纯效果紧密相关的.提供了对硅的提纯结果和工艺参数,列出了氯原子的输运速率和硅粉温度关系的计算结果.     

常压化学气相淀积非晶态硅薄膜的光电特性研究

本文研究了以SiH_4为气源,常压下化学气相淀积(APCVD)非晶态硅薄膜的光电特性及工艺参数的影响。通过与辉光放电a-Si:H膜的光电特性的比较,分析了APCVD a-Si膜的带隙结构和导电机理。     

宏观粒子在等离子体中的输运模型研究

建立了等离子体中宏观粒子的输运模型 ,计算了粒子沉降的加速度、速度和时间 ,得出了粒子收集的判据和沉降过程中提纯效应可提高很多的结论 .这对等离子体的工业应用具有重要的意义