一种新型的高性能带隙基准电压源

提出了一种新型的高性能带隙基准电压源,该基准电压源采用共源共栅电流镜提供偏置电流,减少沟道长度调制效应带来的误差,并增加1个简单的减法电路,使得偏置电流更好地跟随电源电压变化,从而提高电路的电源抑制比。整体电路使用CSMC 0.6μm CMOS工艺,采用Hspice进行仿真。仿真结果表明,在-50~ 100℃温度范围内温度系数为2.93×10-5℃,电源抑制比达到-84.2 dB,电源电压在3.5~6.5 V之间均可实现2.5±0.0012 V的输出,是一种有效的基准电压实现方法。     

高效率、低功耗直流电压转换器芯片的设计与实现

提出了一种基于脉冲宽度调制(PWM)和脉冲频率调制(PFM)模式的高效率、低功耗直流电压转换器的设计方法.电路在负载电流大于60 mA时采用开关频率1 MHz的PWM工作模式,在负载电流小于60 mA时采用开关频率降低的PFM工作模式,实现了在0~250 mA负载电流变化范围内的高转换效率.当输出电压达到预计输出电压的102%时,电路自动进入待机状态,使得静态工作电流降低.芯片采用CSMC公司的0.5μm CMOS混合信号模型设计和流片.测试结果表明:该电路可实现PWM和PFM模式供电以及两种模式之间的平稳过渡,具有较好的负载和线路电压调整,其输出电压的误差小于±2%,最大静态工作电流小于15μA,最大转换效率达92.6%.     

高速CMOS模拟集成电路中的静电保护电路设计

分析了静电放电(ESD)保护的基本原理，指出了传统的用于模拟电路的ESD保护电路在高速电路应用中的局限性，提出了在端口的栅极接地NMOS管和栅极接电源PMOS管的基础上，加上电源与地之间的高速静电泻放回路(片上保护)的新电路结构，仿真结果表明，该电路满足USB2.0高速接口电路的ESD保护要求，试验测试结果表明该ESD保护电路在人体模式下的击穿电压在正负2500V以上，具有实际的应用意义。     

用于神经信号检测的低噪声CMOS前端放大器的设计

采用斩波稳定技术设计了一款低噪声CMOS放大器.该放大器用于神经信号的检测和放大,包括调制解调器、rail-to-rail输入放大级、带通滤波器、低通滤波器和振荡器5个模块.其中,rail-to-rail输入放大级提高了电路的输入共模范围,带通滤波器减小了残余失调,整个斩波稳定系统使电路显现低噪声特性.该电路采用TSMC 0.35μm CMOS工艺进行了仿真流片设计,低频等效输入相关噪声谱密度为13.2 nV/sqrt(Hz),开环增益为100 dB,3 dB带宽10 kHz,芯片面积为980μm×450μm.仿真结果显示,基于斩波稳态技术的低噪声放大器可作为一种有效的神经信号检测的前端电路.     

一种新型带数字校准的超低噪声CMOS参考电压源

提出了一种新型的超低噪声参考电压源.该参考电压源采用基于CMOS阈值电压的偏置电压源结构,具有极低的输出噪声.使用数字校准的方法,将输出电压与精准带隙电压源电压进行比较和校正,提高输出电压的精度.整体电路使用TSMC 0.18 μm RF CMOS工艺设计并物理实现,集成于高性能射频接收器芯片中.仿真结果表明,该低噪声参考电压源的输出噪声在1 kHz时为62 nV/Hz(1)/(2)、在1 MHz时为12.3 nV/Hz(1)/(2).测试结果表明,该低噪声电压源的输出电压值参照带隙基准源,误差为±10 mV.     

一种采用温度补偿的软启动电路及其在LDO中的应用

用高温漏电流补偿技术设计了一种可工作在-40～150℃范围的高稳定性低压差线性稳压器的软启动电路.芯片设计基于CSMC公司的0.5μm CMOS混合信号模型,并通过了流片验证.仿真与测试结果表明,该软启动电路可在-40～150℃范围内正确启动,并在高温下,低压差线性稳压器的误差放大器输入对管不会被误关断.     

基于0.5μm CMOS工艺的高速运放

设计了高单位增益带宽积、大摆率、宽输出摆幅的运算放大器,该运算放采用了两级全差动结构.设计采用增加1个前馈放大级电路,以此产生1个左半平面零点并与第一个次极点相抵消的频率补偿方案,达到了环路稳定的要求.另外,提出一种新颖的共模反馈(CMFB)方案,使共模抑制比达到62dB,电路采用CSMC公司的0.5μm CMOS数模混合信号工艺设计并经过流片.测试结果表明,在单电源3.3 V电压下,运放的直流增益为65.5 dB,单位增益带宽积达350 MHz以及±2.7 V的输出摆幅.