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采用APSYS软件分析了InGaN基发光二极管的垒层中p型掺杂量的分布及其作用.结果表明,当所有的p型掺杂量集中于最后一个垒层时,发光二极管的发光强度最大,大注入电流下的效率衰减量最小.其主要原因是优化了垒层中p型掺杂量的分布有利于电子限制和空穴注入.
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2.
采用APSYS软件分析了InGaN基发光二极管的垒层中p型掺杂量的分布及作用.研究结果表明当所有的p型掺杂量集中于最后一个垒层时，发光二极管的发光强度最大，大注入电流下的效率衰减量最小.其主要原因为优化垒层中p型掺杂量的分布有利于电子限制和空穴注入.
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