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本文研究了用射频溅射法制备的Fe73.5CulNb3Si13.5B9薄膜的巨磁阻抗效应,并对其磁畴结构进行了分析.探讨在制备过程中加一纵向或横向稳恒磁场对薄膜各向异性场的影响.在制备过程中加磁场使得材料的软磁性能得到明显改善,矫顽力从400Am^(-1)降为60Am^(-1),磁阻抗效应有较大提高.加横向磁场制备的Fe73.5CulNb3Si13.5B9薄膜的畴结构,不是严格的沿着样品的长方向,而是略向宽方向倾斜.经300℃退火后的FeCuNbSiB薄膜具有最大的磁阻抗效应,其纵向磁阻抗比为38%,横向磁阻抗比为27%,巨磁阻抗效应的磁场灵敏度分别为47.5%/kAm^(-1)和11.3%/kAm^(-1). 相似文献
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