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本文用完整晶体的动力学理论讨论了 Pendell sung 条纹的形成条件。以 Si、Ge 为试样用同步辐射光源,模拟出了偏光因子剧烈变化条件下容易产生 Pendell sung 条纹的参数,并依照这些参数在同步辐射上最先观测到这一由偏光因子的变化而形成的新型的 Pendell sung条纹。  相似文献   
2.
本文讨论用GaAs的有效反常散射因数来测定Ga在其K吸收限附近的f的方法,并用两组Bijvoet对的积分反射强度较好地求得了f。  相似文献   
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