离子注入GaAs_(x-1)P_x(X■0.39)LED中深能级的研究

一、引言近年来,国内外发光二极管(LED)及其所用材料中深能级的检测和研究取得了不少成果。研究表明:某些深能级的存在所引起的载流子复合的“旁路”,是限制LED效率提高的一个重要因素。热激电流(TSC)是检测深能级,研究材料中杂质、缺陷的一种简便方法,[1—3,12]都曾用这种方法研究过GaAsP LED中的深能级。在LED生产中,     

X射线衍射对离子束混合形成硅化物品粒度的研究

用X衍射测定了离子束混合所形成铂硅化物的衍射线宽,并计算出了其晶粒大小.发现混合时的注入剂量和后退火温度都会影响其晶粒大小.     

X衍射线晶粒加宽线形分析的研究

从晶粒大小分布函数的假定出发，结合Ｆｏｕｒｉｅｒ分析方法的原理，导出了描述Ｘ射线衍射线形的积分表达式，并以此同实验测出的衍射线形进行拟合，结果同传统的Ｆｏｕｒｉｅｒ分析方法得出的结果符合得很好。由于采用了拟合法以及理论上得到的更为符合实际的线形积分表达式，就可以避免传统Ｆｏｕｒｉｅｒ分析方法所产生的弯钩效应，克服把柯西线形近似为晶粒加宽线形的不足，使得最后晶粒大小结果更为准确。     

GaP外延层引入杂质的成因研究

利用ＳＩＭＳ方法对一种先进的液相外延法制成的ＧａＰ处延层杂质进行了研究。这种外延层中杂质种类少，含量小，过渡元素仅含Ｃｒ和Ｆｅ，质量可与日本同类产品相比；表明外延层中杂质的引入主要来源于外延过程。还初步研究了掺杂Ｚｎ的数密度随深度的分布情况，杂质的分布与掺杂Ｚｎ的分布呈相关趋向。因此，杂质的引入还可能与Ｚｎ的纯度有关。外延层中Ｐ＾＋层的厚度估计为１μｍ。     

砷离子束感生铂硅化物的形成

本文研究了砷离子感生硅化铂的形成与生长动力学.用150keV的砷离子束轰击在P型、(111)单晶硅上淀积一层铂的薄膜的样品.在铂膜与单晶硅界面附近观察到铂与硅两类原子的混合层.用RBS方法研究混合层的厚度与砷离子的剂量和能量,以及与轰击时样品温度的依赖关系.用X射线衍射测量确认混合层的物相.实验结果说明,样品中存在的杂质如氧及氩将会影响硅化铂的形成与生长.     

注入离子分布参数的拟合研究

Ｎ注入Ｇａｐ中深度分布已被ＳＩＭＳ和＾１４Ｎ（Ｄ，ａ）＾１２Ｃ核反应测出，可用拟合程序拟合出在不同注入条件下Ｎ的分布参数，其分布参数是用皮尔逊ＩＶ型分布曲线拟合的。拟合出的参数同ＴＲ１Ｍ８９程序和邵其均等人的计算结果作了比较，拟合结果与计算结果是一致的。     

GaAs_(1-x)P_x∶N间接能隙材料的光致发光谱

前言近年来,对GaAs_(1-x)P_x材料的发光性质,国外已进行了许多研究。尤其是关于等电子杂质氮的参与对发光性质的影响,引起了更多人的注意,通过离子注入氮的掺杂,又使研究的范围向间接能隙区推进。以上这些研究所围绕的中心问题,在应用上,主要是发光二极管(LED)的发光效率和发光波长两方面。而GaAsP材料正是目前国内以致国际制造LED的重要材料,对它进行研究是有一定意义的。