具有集成旁路二极管的晶体硅太阳电池研究

研究了将旁路二极管集成到晶体硅太阳电池上的工艺．采用丝网印刷的方法，在晶体硅片局部区域印刷上合适的浆料，经烧结后直接形成一个二极管，其p-n结方向与主体太阳电池的p-n结方向相反，该二极管被用作旁路二极管，接着采用激光刻槽工艺将二极管与主体电池隔离，最后把多片集成了旁路二极管的太阳电池封装成组件，利用组件，．y测试仪进行不同遮挡条件下的测试．实验结果表明，集成在硅太阳电池上的旁路二极管可以有效地稳定组件短路电流，减少局部遮挡条件下组件输出功率的损失．     

晶体硅太阳电池SiNx/Al 背反射性能研究

随着硅片的不断减薄, 晶体硅太阳电池背反射性能变得越来越重要. 本文首先采用PC1D 软件进行理论模拟, 研究背反射率对电池的电学和光学性能影响. 模拟表明, 电池的短路电流、开路电压和内、外量子效率均随着背反射率增大而变大. 当电池背反射率从60%增加到100%时, 电池短路电流提高了 0.128 A, 最大输出功率提高了 0.066 W, 开路电压提高0.007 V; 1100 nm 波长下, 内量子效率提高39.9%, 外量子效率提高17.4%, 电池效率提高了0.4%. 然后, 通过丝网印刷技术制备了SiN_x/Al 背反射器, 实验结果表明, 在长波波段SiN_x/Al 背反射器具有良好的背反射性能, 在1100 nm以上的长波波段含有SiN_x/Al 背反射器结构的电池比普通Al 背场电池对同波长光的背反射率高出15%, 因而具有更高的电池效率.