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1
1.
在r面蓝宝石上生长的a面掺硅GaN的光学和电学性质研究
许晟瑞
周小伟
郝跃
杨林安
张进成
毛维
杨翠
蔡茂世
欧新秀
史林玉
曹艳荣
《中国科学:技术科学》
2011,(2):234-238
在r面蓝宝石(Al2O3)衬底上生长了非极性掺硅的a面GaN薄膜,用光致发光(PL)谱,高分辨X射线衍射仪(HRXRD),原子力显微镜(AFM),和霍尔测量研究了材料的光学和电学性质.结果表明,Si的掺入会使材料的结晶质量和形貌出现微小的退化.黄带也随着SiH4流量的增加而提高.但是随着硅的掺入,材料迁移率极大提高,这种现象主要是由于镓空位(VGa)被填补引起的.
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