填料粒径对各向同性导电胶渗滤阈值的影响

采用反向微乳液法，通过调节微乳液体系中表面活性剂十六烷基三甲基溴化氨（CTAB）的浓度，制备了粒径范围在10～200nm的Ag纳米粒子．XRD和TEM对不同粒径的纳米粒子进行表征．以这些不同粒径的Ag纳米粒子作为各向同性导电胶的导电填料，发现对于不同粒径的Ag粒子填料，导电胶电阻率的阈值填充量是不同的．当填料粒径为50nm时，导电胶出现的最小阈值填充量为63wt％，理论计算结果与这一实验结果符合得很好．     

纳米银的内耗和模量研究

采用不同温度连续退火和测量纳米银的内耗.发现在450K附近有一个小峰叠加在背底上,此峰在首次升温测量中并不出现,在再次升温测量中才出现.变频测量此峰,其峰位随频率变化,求得其激活能为0.82±0.1eV,与银的晶界原子自扩散激活能一致.因此可认为这是纳米银的晶界内耗峰.     

铁族过渡金属的3d能带结构

本文用较完善的紧束缚方法系统地计算了铁族过渡金属中体心立方Ti,V,Cr,Mn,Fe和面心立方Fe,Co,Ni,Cu的3d能带结构与状态密度。计算中考虑了晶体中电子组态的特点和重迭积分及次近邻相互作用的影响,精确地计算了晶体场积分,计算得到的3d填充带宽和低温电子比热系数与实验值符合较好,通过系统的计算,得到了整个铁族过渡金属3d能带结构及状态密度的规律性。计算表明这些金属的3d能带宽度与金属原子间结合力存在着规律性的对应关系,最后讨论了重迭积分、晶体场积分和次近邻相互作用对带宽计算值的影响。