纵向磁场沉积态(F/SiO_2)_3/Ag/(SiO_2/F)_3多层复合结构膜的巨磁阻抗效应

采用射频溅射法分别在零磁场和72kA/m的纵向静磁场下,制备了结构为(F/SiO2)3/Ag/(SiO2/F)3(F=Fe71.5Cu1Cr2.5V4Si12B9)的多层复合膜.研究了沉积态样品的软磁特性和巨磁阻抗(GMI)效应.结果表明,在无磁场沉积态样品中未探测到GMI效应.在沉积过程中加纵向磁场明显优化了材料的软磁性能,从而获得显著的GMI效应.在6.81MHz的频率下,最大纵向和横向GMI比分别高达45%和44%.同时还分析了磁阻抗比、磁电阻比、磁电抗比和有效磁导率比随频率变化的行为,发现磁场沉积态样品的纵向和横向GMI效应随频率变化的频谱曲线几乎重合.阻抗在低频下主要是巨磁电感效应.当频率f>9MHz时,磁电抗比变为负值,即电抗的性质从电感性变成了电容性.     

纵向磁场沉积态(F/SiO2)3/Ag/(SiO2/F)3多层复合结构膜的巨磁阻抗效应

采用射频溅射法分别在零磁场和72 kA/m的纵向静磁场下, 制备了结构为(F/SiO₂)₃/Ag/(SiO₂/F)₃ (F=Fe_71.5Cu1Cr_2.5V4Si₁₂B₉)的多层复合膜. 研究了沉积态样品的软磁特性和巨磁阻抗(GMI)效应. 结果表明, 在无磁场沉积态样品中未探测到GMI效应. 在沉积过程中加纵向磁场明显优化了材料的软磁性能, 从而获得显著的GMI效应. 在6.81 MHz的频率下, 最大纵向和横向GMI比分别高达45%和44%. 同时还分析了磁阻抗比、磁电阻比、磁电抗比和有效磁导率比随频率变化的行为, 发现磁场沉积态样品的纵向和横向GMI效应随频率变化的频谱曲线几乎重合. 阻抗在低频下主要是巨磁电感效应. 当频率 f >9 MHz时, 磁电抗比变为负值, 即电抗的性质从电感性变成了电容性.     

La0.822Sr0.178MnxO3薄膜电磁性质的研究

报道了用Ｌａ、Ｓｒ、Ｍｎ的环烷酸盐溶液,采用两次旋转覆盖的溶胶－凝胶方法在ＬａＡｌＯ３（１００）基底上合成了Ｌａ０．８２２Ｓｒ０．１７８ＭｎｘＯ３薄膜。阻温特性测量表明：当ｘ＝０．９时,样品是绝缘体;当ｘ≥０．９４４时,随着ｘ的增加,磁转变温度Ｔｃ增加,电阻率降低,用该方法得到样品的Ｔｃ比其它方法得到的Ｔｃ要高。     

长方网格与正方介质柱组合构成大带隙二维光子晶体

将呈网带连通的长方网格与呈离散状态的正方介质柱组合构成长方晶格光子晶体，用快速平面波展开法计算其能带结构．通过参数优化．在低频区找到最大绝对禁带宽度△w=0.1056we(we=2π/a,a为晶格常数，c为光途)，绝对禁带中心频率we=0.90338we,△w/we-11.7%。     

一种新型二维像素型光子晶体的能带结构

运用快速平面波展开法计算了一种新型二维正方结构像素型光子晶体的能带结构,通过参数优化,在低频区,该光子晶体具有最大绝对禁带宽度Δω为0 0522ωe,(ωe=2πc/a,a为晶格常数,c为光速),中心频率ωmid为0 7184ωe,Δω/ωmid=7 266%.     

电子在无限长载流直导线旁的运动轨迹

本文分析了电子在无限长载流直导线旁非匀强磁场中的运动情况，用计算机进行数值求解，得到了在不同的入射角下电子的运动轨迹。