中国制造业技术引进与创新增长:促进还是抑制——基于超越对数随机前沿模型实证考察

【目的】为了论证中国制造业技术引进与创新增长之间的关系:促进还是抑制? 【方法】基于2004—2014年中国30个省(直辖市、自治区)的制造业面板数据,应用柯布-道格拉斯(C-D)生产函数形式的随机前沿模型进行研究,但鉴于随机前沿法存在的缺陷,将选择恰当的生产函数形式和适当的技术无效模型形式,引入劳动与资本的交叉项和二次项,并运用相关理论进行严格的检验;【结果】构建了超越对数随机前沿模型,实证考察了国内技术购买和国外技术引进这两种技术引进来源对中国制造业技术进步效率的影响。【结论】研究发现,就全国整体而言,国内技术购买与国外技术引进对制造业技术进步效率具有显著的正向促进效应,但这种效应在东部地区、中部地区和西部地区呈现出显著差异,国内、外技术引进对制造业创新效率的促进效应,西部地区最为显著、东部地区为正但不显著、中部地区显著为负。政府 R&D投入、外商直接投资无论是全国层面还是区域层面对制造业技术进步效率都有正向促进作用。
     

电流密度对Ni-W-B合金电沉积层结构和显微硬度的影响

采用电化学技术、ＸＲＤ、ＤＳＣ等方法研究电流密度对Ｎｉ－Ｗ－Ｂ合金电沉积、镀层结构和显微硬度的影响,结果表明：沉积电流密度提高,Ｎｉ－Ｗ－Ｂ合金电沉积层Ｗ含量增大,Ｂ含量降低,电沉积电流效率降低,所获得的合金镀层表现为亚稳态纳米晶结构,在不同电流密度下获得的Ｎｉ－Ｗ－Ｂ合金电沉积层的显微硬度值接近,约为６５０ｋｇ／ｍｍ＾２,与Ｎｉ－Ｗ合金相比有明显提高。     

添加剂的整平能力及其对Cu电沉积层结构的影响

采用电化学、X射线衍射和扫描电镜方法研究酸性镀铜过程中添加剂的整平能力及其对Cu电沉积层结构和表面形貌的影响。结果表明，采用本文所研制的添加剂，可以获得光亮、致密且整平能力可达到100％的Cu电沉积层；所获得的Cu镀层均不存在明显的晶面择优取向现象。镀液中光亮剂单独存在及其与整平剂共存时，镀层表面分别呈现晶粒细小致密形貌和网状结构。     

高职院校开设专业选修课的若干思考--开设《电子声学技术及应用》选修课的启示

为适应高职院校专业选修课改革的要求，宁波职业技术学院根据本院师资和学生实际情况试开了新课程《电子声学技术及应用》。在跟踪调查的基础上，对课程的教学情况和教学效果进行了分析和讨论。对高职院校开设专业选修课提出了一些认识和思考。     

石墨负极首次阴极极化过程的电化学阻抗谱研究

运用电化学阻抗谱(EIS)研究了石墨负极在1 mol/L LiPF6-EC:DEC:DMC电解液中的首次阴极极化过程. 在1.0 V以下, 观察到EIS高频区域出现半圆及其随极化电位降低而不断增长的过程, 发现该EIS特征与固体电解质相界面膜(SEI膜)有关. 选取适当的等效电路拟合了不同电位下的EIS实验数据, 深入分析了SEI膜的成膜过程及其对SEI膜阻抗、电荷传递电阻和双电层电容的影响.     

钕离子对镍电沉积层择优取向及其性能的影响

对１．０ｍｏｌ／ＬＮｉＳＯ４，０．５ｍｏｌ／ＬＨ３ＢＯ３，１．１×１０－３ｍｏｌ／ＬＮｄＣｌ３体系，在宽电位范围内，控制电位沉积可得到高择优取向镍沉积层，控制电位为－１．２５Ｖ，沉积９０ｍｉｎ，得到高择优取向（２２０）镍沉积层，对该镍沉积层的织构度采用Ｘ射线衍射进行测定，其织构度ＴＣ２２０为９４％，测定了高择优取向（２２０）镍沉积层在１ｍｏｌ／ＬＮａＯＨ溶液中的析氢电催化性能，与多晶镍电极相比具有良好的电催化活性，使析氢过电位降低，交换电流密度提高．     

LiCoO2正极材料电子和离子传输特性的电化学阻抗谱研究

运用电化学阻抗谱(EIS)研究了LiCoO₂正极的电子和离子传输特性, 及其在电解液中贮存和充放电过程中的变化规律. 发现当LiCoO₂正极在电解液中贮存达到9 h时, 在EIS的中频区域出现一个新的半圆, 随着贮存时间进一步延长, 该半圆不断增大. 在充放电过程中, 这一中频区域半圆随电极电位的变化发生可逆的增大和减小, 其变化规律与Li_xCoO₂电子电导率随电极电位的变化规律相一致. 因此, 这一新的EIS特征应归属于LiCoO₂正极在贮存或锂离子嵌脱过程中Li_xCoO₂电子电导率的变化. 研究结果还发现, LiCoO₂正极表面SEI膜阻抗在充放电过程中可逆地增大和减小, 也可归因于充放电过程中LiCoO₂正极活性材料电子电导率的变化.