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通过化学腐蚀Si (100)基片,使基片表面腐蚀坑呈倒金字塔型结构,并在其上沉积[FePt3nm/Ag2nm]10 /Ag20nm多层膜.样品在300 ℃、400 ℃、500 ℃进行热处理.X射线衍射结果表明FePt由Fcc相向L10转变,易磁化轴与基片表面呈现45°夹角;磁学研究表明,此时样品有较快的磁化转变速率,在高密度磁记录介质方面有着较好的应用前景. 相似文献
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用RF磁控溅射沉积的Fe-N磁性薄膜,饱和磁化强度比较高,但矫顽力太高,因而降低H c 成为Fe-N是否可以用于高密度磁记录的关键.在低功率200W下溅射沉积200nm的薄膜,在250℃,12000A/m磁场下真空热处理后,当N含量在f A为5%~7%范围内,形成α′+α″时,μ o Ms可达2.4T,H c <80A/m.但Fe-N磁性薄膜厚度需要达到2μm,而H c 往往因厚度增加而增加.提高溅射功率到1000W,使晶粒进一步细化,2μm厚的Fe-N磁性薄膜经250℃,12000A/m磁场下真空热处理后,当N含量在f A 为5.9%~8.5%范围内,形成α′+α″时,μ o Ms=2.2T,H c 仍可低于80A/m,可以满足针对高存储密度的GMR/感应式复合读写磁头中写入磁头的需要. 相似文献
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采用微波等离子体化学气相沉积法,N2/CH4作反应气体,在Si(100)基体上沉积β-CN化合物。使用X射线光电子能谱研究了基体温度对碳氮薄膜的成分和结构的影响,结果表明:随着温度的提高,N/C原子比迅速提高,a-和β-C3N4在薄膜中的比例随之提高。 相似文献
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微波等离子体化学气相沉积β-C_3N_4超硬膜的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD),用高纯氮气(99.999% )和甲烷(99.9% )作反应气体,在多晶铂(Pt)基片上沉积C3N4 薄膜。利用扫描电子显微镜(SEM)和扫描隧道显微镜(STM)观察薄膜形貌表明,薄膜由针状晶体组成。X射线能谱(EDX)分析了这种晶态C-N膜的化学成分。对不同样品不同区域的分析结果表明,N/C比接近于4/3。X射线衍射结构分析说明该膜主要由β-C3N4 和α-C3N4 组成。利用Nano indenter Ⅱ测得C3N4 膜的体弹性模量B达到349 GPa,接近c-BN(367 GPa)的体弹性模量,证明C3N4 化合物是超硬材料家族中的一员。 相似文献
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